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BC2312

Plastic-Encapsulate MOSFETS

FEATURE TrenchFET Power MOSFET APPLICATION DC/DC Converters Load Switching for Portable Applications

文件:600.09 Kbytes 页数:4 Pages

GWSEMI

唯圣电子

BC2312

场效应管

Bluecolour

蓝彩电子

BLM2312

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:520.59 Kbytes 页数:6 Pages

Belling

上海贝岭

CES2312

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 20V, 4.5A, RDS(ON) = 33mΩ @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 40mΩ @VGS = 2.5V. ■ High dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ Rugged and reliable. ■ Lead free product is acquired. ■ SOT-23 package.

文件:281.47 Kbytes 页数:4 Pages

CET

华瑞

CES2312

N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converters • Load Switch for Portable Applications

文件:1.88321 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

技术参数

  • PD(W):

    0.35

  • ID(A):

    5

  • VDSS(V):

    20

  • VGS(th)_Min.(V):

    0.45

  • VGS(th)_Max.(V):

    1

  • RDS(on)(Ω):

    0.0318

  • RDS(on)@VGS (V):

    4.5

  • RDS(on)@ID (A):

    5

  • Package:

    SOT-23

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更多BC2312供应商 更新时间2025-12-10 16:30:00