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BC212LB	文件：82.38 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS AmplifierTransistors	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BCL-212-WP	文件：178.88 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminalfor2AWGWire,StudSize1/2,Un-PlatedWidePad	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕	MOLEX4
BCL-212-WP	文件：178.86 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminal	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕	MOLEX4
BCL-212-WP-PL	文件：178.86 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminal	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕	MOLEX4
BGY212	文件：132.33 Kbytes Page：11 Pages	UHFamplifiermodule DESCRIPTION TheBGY212Aisathree-stageUHFamplifiermoduleinaSOT482Cleadlesspackagewithaplasticcover.ThemoduleconsistsofoneNPNsiliconplanartransistordieandonebipolarmonolithicintegratedcircuitmountedtogetherwithmatchingandbiascircuitcomponentsonametallizedc	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGY212A	文件：132.33 Kbytes Page：11 Pages	UHFamplifiermodule DESCRIPTION TheBGY212Aisathree-stageUHFamplifiermoduleinaSOT482Cleadlesspackagewithaplasticcover.ThemoduleconsistsofoneNPNsiliconplanartransistordieandonebipolarmonolithicintegratedcircuitmountedtogetherwithmatchingandbiascircuitcomponentsonametallizedc	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BH212	文件：126.61 Kbytes Page：1 Pages	BATTERYHOLDERS&SNAPSAA,AAA,C,D&COINCELL	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亚当科技亚当科技股份有限公司	ADAM-TECH
BRS212	文件：32.46 Kbytes Page：6 Pages	Breakoverdiodes GENERALDESCRIPTION Arangeofbidirectional,breakoverdiodesinatwoterminal,surfacemounting,plasticenvelope.Thesedevicesfeaturecontrolledbreakovervoltageandhighholdingcurrenttogetherwithhighpeakcurrenthandlingcapability.Theirintendedapplicationisprotectionoflineb	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BTA212	文件：44.04 Kbytes Page：4 Pages	Threequadranttriacsguaranteedcommutation	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BTA212	文件：19.3 Kbytes Page：4 Pages	Threequadranttriacshighcommutation GENERALDESCRIPTION GlasspassivatedhighcommutationtriacsinaplasticenvelopeintendedforuseincircuitswherehighstaticanddynamicdV/dtandhighdI/dtcanoccur.Thesedeviceswillcommutatethefullratedrmscurrentatthemaximumratedjunctiontemperature,withouttheaidofasnubber	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
BC212B_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP -50V -100mA HFE/4
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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