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BC212BG	文件：60.04 Kbytes Page：4 Pages	AmplifierTransistorsPNPSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC212C	文件：72.97 Kbytes Page：1 Pages	PNPPlasticEncapsulatedTransistor FEATURE GeneralPurposeSwitchingandAmplification.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC212CSM	文件：15.7 Kbytes Page：1 Pages	BipolarPNPDeviceinaHermeticallysealedLCC1	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
BC212DCSM	文件：15.05 Kbytes Page：1 Pages	DualBipolarPNPDevicesinahermeticallysealed	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
BC212L	文件：313.42 Kbytes Page：7 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier PNPGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsatcollectorcurrentsto300mA.SourcedfromProcess68.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC212L	文件：62.56 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTOR BC182BC182L->PNP BC212,BC212L->PNP	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
BC212L	文件：82.38 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS AmplifierTransistors	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BC212L	文件：75.84 Kbytes Page：1 Pages	LowLevelandGeneralPurposeAmplifiers	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BC212LA	文件：82.38 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS AmplifierTransistors	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BC212LB	文件：27.31 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier •Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationat collectorcurrentsto100mA. •Sourcedfromprocess68	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
BC212B_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP -50V -100mA HFE/4
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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