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BCL-212-WP-PL	文件：178.86 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminal	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕	MOLEX4
BGY212	文件：132.33 Kbytes Page：11 Pages	UHFamplifiermodule DESCRIPTION TheBGY212Aisathree-stageUHFamplifiermoduleinaSOT482Cleadlesspackagewithaplasticcover.ThemoduleconsistsofoneNPNsiliconplanartransistordieandonebipolarmonolithicintegratedcircuitmountedtogetherwithmatchingandbiascircuitcomponentsonametallizedc	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGY212A	文件：132.33 Kbytes Page：11 Pages	UHFamplifiermodule DESCRIPTION TheBGY212Aisathree-stageUHFamplifiermoduleinaSOT482Cleadlesspackagewithaplasticcover.ThemoduleconsistsofoneNPNsiliconplanartransistordieandonebipolarmonolithicintegratedcircuitmountedtogetherwithmatchingandbiascircuitcomponentsonametallizedc	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BH212	文件：126.61 Kbytes Page：1 Pages	BATTERYHOLDERS&SNAPSAA,AAA,C,D&COINCELL	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亚当科技亚当科技股份有限公司	ADAM-TECH
BRS212	文件：32.46 Kbytes Page：6 Pages	Breakoverdiodes GENERALDESCRIPTION Arangeofbidirectional,breakoverdiodesinatwoterminal,surfacemounting,plasticenvelope.Thesedevicesfeaturecontrolledbreakovervoltageandhighholdingcurrenttogetherwithhighpeakcurrenthandlingcapability.Theirintendedapplicationisprotectionoflineb	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BTA212	文件：44.04 Kbytes Page：4 Pages	Threequadranttriacsguaranteedcommutation	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BTA212	文件：19.3 Kbytes Page：4 Pages	Threequadranttriacshighcommutation GENERALDESCRIPTION GlasspassivatedhighcommutationtriacsinaplasticenvelopeintendedforuseincircuitswherehighstaticanddynamicdV/dtandhighdI/dtcanoccur.Thesedeviceswillcommutatethefullratedrmscurrentatthemaximumratedjunctiontemperature,withouttheaidofasnubber	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BTA212	文件：17.63 Kbytes Page：4 Pages	Threequadranttriacshighcommutation	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BTA212	文件：45.46 Kbytes Page：4 Pages	Threequadranttriacshighcommutation	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BTA212	文件：595.29 Kbytes Page：8 Pages	Threequadranttriacshighcommutation	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司	WEEN

详细参数

型号：
BC212_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP -50V -100mA HFE/12
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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