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BC212A	文件：138.89 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPNPTRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORBC212seriesare siliconPNPtransistorsdesignedforlownoise,high gainamplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BC212B	文件：107.44 Kbytes Page：4 Pages	AmlifierTransistors(PNP) AmplifierTransistorsPNPSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BC212B	文件：60.04 Kbytes Page：4 Pages	AmplifierTransistorsPNPSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC212B	文件：28.95 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier •Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationatcollectorcurrentsto100mA. •Sourcedfromprocess68.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC212B	文件：72.97 Kbytes Page：1 Pages	PNPPlasticEncapsulatedTransistor FEATURE GeneralPurposeSwitchingandAmplification.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC212B	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
BC212B	文件：138.89 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPNPTRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORBC212seriesare siliconPNPtransistorsdesignedforlownoise,high gainamplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BC212BG	文件：60.04 Kbytes Page：4 Pages	AmplifierTransistorsPNPSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC212C	文件：72.97 Kbytes Page：1 Pages	PNPPlasticEncapsulatedTransistor FEATURE GeneralPurposeSwitchingandAmplification.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC212CSM	文件：15.7 Kbytes Page：1 Pages	BipolarPNPDeviceinaHermeticallysealedLCC1	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB

详细参数

型号：
BC212_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP -50V -100mA HFE/12
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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