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BC184L	文件：23.42 Kbytes Page：3 Pages	SILICON NPN SMALL SIGNAL TRANSISTOR •BVCEO= 30V (Min.) •hFE= 130 (Min.) @VCE= 5.0V, IC= 100mA 文件：23.42 Kbytes 页数：3 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BC184L	文件：147.11 Kbytes Page：4 Pages	SILICON PLANAR EPITAXIAL AMPLIFIER TRANSISTORS TO-92 Plastic Package 文件：147.11 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
BC184L	文件：206.04 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL AMPLIFIER TRANSISTORS TO-92 Plastic Package 文件：206.04 Kbytes 页数：3 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BC184LB	文件：206.04 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL AMPLIFIER TRANSISTORS TO-92 Plastic Package 文件：206.04 Kbytes 页数：3 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BC184LB	文件：147.11 Kbytes Page：4 Pages	SILICON PLANAR EPITAXIAL AMPLIFIER TRANSISTORS TO-92 Plastic Package 文件：147.11 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
BC184LC	文件：206.04 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL AMPLIFIER TRANSISTORS TO-92 Plastic Package 文件：206.04 Kbytes 页数：3 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BC184LC	文件：25.88 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Small Signal Transistor •BVCEO= 30V (Min.) •hFE= 250 (Min.) @VCE= 5.0V, IC= 2mA 文件：25.88 Kbytes 页数：3 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BC184LC	文件：147.11 Kbytes Page：4 Pages	SILICON PLANAR EPITAXIAL AMPLIFIER TRANSISTORS TO-92 Plastic Package 文件：147.11 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
BC184_15	文件：221.09 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor 文件：221.09 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
BC184A	文件：207.73 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS 文件：207.73 Kbytes 页数：3 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

晶体管资料

型号：
BC184(B,C)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）_低噪放大（ra）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
45V
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
>150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC384,BC413,BC550,3DG130B,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
β=900
图片代号：
A-23
vtest：
45
htest：
150000100
atest：
0.2
wtest：
0.3

产品属性

产品编号：
BC184
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
130 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3

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