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BC182G	文件：60.62 Kbytes Page：4 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors Amplifier Transistors NPN Silicon Features • These are Pb−Free Devices* 文件：60.62 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC182G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 长体；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 0.1A TO92	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC182L	文件：62.56 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR BC182 BC182L -> PNP BC212,BC212L -> PNP 文件：62.56 Kbytes 页数：1 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
BC182L	文件：26.34 Kbytes Page：3 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPN General Purpose Amplifier • This device is designed for general purpose amplifier application at collector currents to 100mA. • Sourced from process 10. 文件：26.34 Kbytes 页数：3 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
BC182L	文件：250.49 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Transistors [multicomp] General Description: • General Purpose NPN Silicon Planar Epitaxial Amplifiers Transistors. 文件：250.49 Kbytes 页数：4 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

产品属性

产品编号：
BC182G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN 50V 0.1A TO92

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更多BC182G供应商更新时间2025-12-4 16:30:00

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