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BD-F505RE-A	文件：197.87 Kbytes Page：2 Pages	DUALDIGITLEDDISPLAYS	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BF505	文件：36.66 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTOR NPNSiliconRFTransistor BF505isanNPNsiliconplanarRFtransistorinTO92plasticpackage(10A3DIN41868). ThetransistorisparticularlyintendedforuseinVHFamplifiersincommonemitterconfiguration,VHFmixersandVHF/UHFoscillators.	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFC505	文件：82.39 Kbytes Page：11 Pages	NPNwidebandcascodetransistor DESCRIPTION Cascodeamplifierwithtwodiscretediesinasurfacemount,5-pinSOT353(S-mini)package.TheamplifierisprimarilyintendedforlowpowerRFcommunicationsequipment,suchaspagersandhasaverylowfeedbackcapacitanceresultinginhighisolation. FEATURES •Smallsize •Hig	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFE505	文件：59.19 Kbytes Page：8 Pages	NPNwidebanddifferentialtransistor DESCRIPTION EmittercoupleddualNPNsiliconRFtransistorinasurfacemount,5-pinSOT353(S-mini)package.ThetransistorisprimarilyintendedforapplicationsintheRFfrontendasabalancedmixer,adifferentialamplifierinanaloganddigitalcellularphones,andincordlessphones,page	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG505	文件：159.22 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistors DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT143Bplasticpackage. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS RFfrontendapplicationsintheGHzrange,su	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG505	文件：136.27 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistors	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 锦美电子泉州锦美电子有限公司	JMNIC
BFG505/X	文件：159.22 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistors DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT143Bplasticpackage. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS RFfrontendapplicationsintheGHzrange,su	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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BFG505SLASHX	文件：159.22 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistors DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT143Bplasticpackage. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS RFfrontendapplicationsintheGHzrange,su	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG505SLASHX	文件：148.94 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistors DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Nplasticpackage. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS RFfrontendapplicationsintheGHzrange,su	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
BB505CES
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier

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