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BFG505SLASHX	文件：159.22 Kbytes Page：16 Pages	Marking：-MK；Package：SOT-143B；NPN 9 GHz wideband transistors DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT143Bplasticpackage. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS RFfrontendapplicationsintheGHzrange,su	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG505SLASHX	文件：148.94 Kbytes Page：16 Pages	Marking：tMK；Package：SOT-143B；NPN 9 GHz wideband transistors DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Nplasticpackage. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS RFfrontendapplicationsintheGHzrange,su	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG505W	文件：148.94 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistors DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Nplasticpackage. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS RFfrontendapplicationsintheGHzrange,su	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG505W/X	文件：148.94 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistors DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Nplasticpackage. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS RFfrontendapplicationsintheGHzrange,su	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG505WSLASHX	文件：148.94 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistors DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Nplasticpackage. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS RFfrontendapplicationsintheGHzrange,su	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFM505	文件：92.89 Kbytes Page：10 Pages	DualNPNwidebandtransistor DESCRIPTION DualtransistorwithtwosiliconNPNRFdiesinasurfacemount,6-pinSOT363(S-mini)package.ThetransistorsareprimarilyintendedforwidebandapplicationsintheGHz-rangeintheRFfrontendofanaloganddigitalcellularphones,cordlessphones,radardetectors,pagersandsat	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFR505	文件：120.89 Kbytes Page：12 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION TheBFR505isannpnsiliconplanarepitaxialtransistor,intendedforapplicationsintheRFfrontendinwidebandapplicationsintheGHzrange,suchasanaloganddigitalcellulartelephones,cordlesstelephones(CT1,CT2,DECT,etc.),radardetectors,pagersandsatelliteTVtuners	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFR505T	文件：103.54 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNtransistorinaplasticSOT416(SC-75)package. FEATURES •Lowcurrentconsumption •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency •Goldmetallizationensuresexcellentreliability •SOT416(SC-75)package. APPLICATIONS Lowpoweramplifiers,oscillat	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFS505	文件：113.88 Kbytes Page：12 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNtransistorinaplasticSOT323envelope. Itisintendedforlowpoweramplifiers,oscillatorsandmixersparticularlyinRFportablecommunicationequipment(cellularphones,cordlessphones,pagers)upto2GHz. FEATURES •Lowcurrentconsumption •Highpowergain •Lownois	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFS505	文件：95.24 Kbytes Page：12 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 锦美电子泉州锦美电子有限公司	JMNIC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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