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BD501B	文件：109.89 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=50V(Min) 80V(Min) ·HighPowerDissipation APPLICATIONS ·Designedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementary	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD501B	文件：128.02 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD501N	文件：245.62 Kbytes Page：2 Pages	50AMPBLOCKDIODES	SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
BD501P	文件：245.62 Kbytes Page：2 Pages	50AMPBLOCKDIODES	SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
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详细参数

型号：
BB501C
制造商：
HITACHI
制造商全称：
Hitachi Semiconductor
功能描述：
Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF/VHF RF Amplifier

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更多BB501C供应商更新时间2025-7-21 15:43:00

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