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BAW56W	文件：204.71 Kbytes Page：11 Pages	丝印：A1；Package：SC-70；High-speed switching diode 1. General description High-speed switching diode, encapsulated in a very small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits • High switching speed: trr ≤ 4 ns • Low capacitance: Cd ≤ 2 pF • Low leakage current • Reverse voltage: VR ≤ 90 V • Very 文件：204.71 Kbytes 页数：11 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BAW56W	文件：240.38 Kbytes Page：3 Pages	丝印：KJC；Package：SOT-323；Plastic-Encap sulate Diodes FEATURES Fast Switching Speed For General Purpose Switching Applications High Conductance 文件：240.38 Kbytes 页数：3 Pages	GWSEMI 唯圣电子	GWSEMI
BAW56W	文件：351.6 Kbytes Page：2 Pages	SOT-323 Plastic-Encapsulate Diodes SWITCHING DIODE FEATURES ● Fast Switching Speed ● For General Purpose Switching Applications ● High Conductance ● Pb-Free package is available RoHS product for packing code suffix G Halogen free product for packing code suffix H ● Moisture Sensitivity Level 1 文件：351.6 Kbytes 页数：2 Pages	WILLAS 威伦电子	WILLAS
BAW56W	文件：60.3 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Diode SWITCHING DIODE FEATURES Power dissipation PD: 200 mW (Tamb=25℃) Collector current IO: 150 mA Collector-base voltage VR: 75 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：60.3 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL
BAW56W	文件：760.51 Kbytes Page：3 Pages	SWITCHING DIODE Fast Switching Speed For General Purpose Switching Applications High Conductance FEATURES 文件：760.51 Kbytes 页数：3 Pages	SXSEMI 瞬芯半导体	SXSEMI
BAW56W	文件：37.38 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES 文件：37.38 Kbytes 页数：2 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
BAW56W	文件：50.79 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE 文件：50.79 Kbytes 页数：4 Pages	WTE Won-Top Electronics	WTE
BAW56W	文件：119.58 Kbytes Page：1 Pages	SOT-323 Plastic-Encapsulate DIODE 文件：119.58 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
BAW56W	文件：702.44 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulate Diodes 文件：702.44 Kbytes 页数：1 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
BAW56W	文件：685.27 Kbytes Page：3 Pages	Dual Switching Diodes 文件：685.27 Kbytes 页数：3 Pages	YEASHIN 亚昕科技	YEASHIN

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技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Standard (Q on Request)
Configuration：
Dual
Polarity：
Anode
Power Rating (mW)：
200 mW
N)：
No Y/N
Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)：
75 V
Reverse Recovery Time trr (ns)：
4 ns
Maximum Average Rectifier Current IO (mA)：
150 mA
Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A)：
2 A
Forward Voltage Drop VF @ IF (mA)：
0
Maximum ReverseCurrent IR (µA)：
2.5 µA
Maximum Reverse Current IR @ VR (V)：
75 V
V(BR)R (V) Min (µA)：
75@2.5μA
TotalCapacitance CT (pF)：
2 pF
VF(V) Max @ IF=10mA：
0.855
VF(V) Max @ IF=100mA：
1
IR(uA) Max @ VR=80V：
2.5μA@75V
Packages：
SOT323

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	BAW56W	NEXPERIA/安世	24+	SOT-323	30524	原装正品,现货库存,1小时内发货	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	BAW56W	NEXPERIA/安世	25+	SOT-23	600000	NEXPERIA/安世全新特价BAW56W即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
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深圳市创新迹电子有限公司	BAW56W	NEXPERIA/安世	2021+	SOT-323	9000	原装现货,随时欢迎询价	询价
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更多BAW56W供应商更新时间2026-2-8 22:59:00

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