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BAW101	文件：429.07 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Switching Diode Silicon Switching Diode • Electrically insulated high-voltage medium-speed diodes • Pb-free (RoHS compliant) package1) • Qualified according AEC Q101 文件：429.07 Kbytes 页数：3 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BAW101	文件：152.29 Kbytes Page：2 Pages	DUAL, ISOLATED HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODES DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR BAW101 type is a Silicon Dual Isolated High Voltage Switching diode designed for surface mount switching applications requiring high voltage capabilities. Marking Code is CJP. 文件：152.29 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
BAW101	文件：79.83 Kbytes Page：4 Pages	Fast Switching Speed Features • Fast Switching Speed • High Reverse Breakdown Voltage • Two Electrically Isolated Elements in a Single Compact Package • Low Leakage Current • Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant (Note 1) • Green Device (Note 2) 文件：79.83 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAW101	文件：38.71 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Switching Diode Array Features ● Electrically insulated high-voltage medium-speed diodes 文件：38.71 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BAW101	文件：61.6 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Switching Diode Array (Electrically insulated high-voltage medium-speed diodes) Silicon Switching Diode Array ● Electrically insulated high-voltage medium-speed diodes 文件：61.6 Kbytes 页数：3 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BAW101	文件：160.01 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Double Diode FEATURES ● High Switching Speed:Max.50ns. ● High Continuous Reverse Voltage:300V. ● Electrically Insulated Diodes. APPLICATIONS ● General application. 文件：160.01 Kbytes 页数：5 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
BAW101	文件：311.96 Kbytes Page：10 Pages	丝印：AB；Package：SOT143B；High voltage double diode FEATURES •Small plastic SMD package •High switching speed: max. 50 ns •High continuous reverse voltage: 300 V •Electrically insulated diodes. APPLICATIONS •High voltage switching •Automotive •Communication. DESCRIPTION The BAW101 is a high-speed switching diode array with two separat 文件：311.96 Kbytes 页数：10 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BAW101	文件：277.83 Kbytes Page：5 Pages	DUAL SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE 文件：277.83 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAW101	文件：62.32 Kbytes Page：5 Pages	Silicon Switching Diode 文件：62.32 Kbytes 页数：5 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BAW101	文件：136.13 Kbytes Page：9 Pages	丝印：WAB；Package：SOT-143B；High voltage double diode 文件：136.13 Kbytes 页数：9 Pages	PHI PHI	PHI

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技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Automotive
Configuration：
Dual
Polarity：
Anode
Power Rating (mW)：
400 mW
N)：
No Y/N
Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)：
300 V
Reverse Recovery Time trr (ns)：
50 ns
Maximum Average Rectifier Current IO (mA)：
250 mA
Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A)：
4.5 A
Forward Voltage Drop VF @ IF (mA)：
100
Maximum ReverseCurrent IR (µA)：
0.15 µA
Maximum Reverse Current IR @ VR (V)：
250 V
V(BR)R (V) Min (µA)：
300
TotalCapacitance CT (pF)：
2 pF
VF(V) Max @ IF=1.0mA：
0.715
VF(V) Max @ IF=10mA：
0.855
IR(uA) Max @ VR=80V：
150nA@250V
Packages：
SOT143

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中天科工半导体（深圳）有限公司	BAW101	NEXPERIA/安世	25+	SOT143B	600000	NEXPERIA/安世全新特价BAW101即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
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更多BAW101供应商更新时间2026-4-17 18:03:00

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