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BAV5004LP	文件：238.94 Kbytes Page：5 Pages	丝印：LY；Package：X1-DFN1006-2；HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE Features Fast Switching Speed: 50ns Maximum 400V High Reverse Breakdown Voltage Rating Low Capacitance: 2.5pF Maximum Surface Mount Package Ideally Suited for Automated Insertion Lead Free by Design/RoHS Compliant (Note 1) Halogen and Antimony Free Green Device (Notes 2 & 3) Qualified to AE 文件：238.94 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAV5004LP-7B	文件：238.94 Kbytes Page：5 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE Features Fast Switching Speed: 50ns Maximum 400V High Reverse Breakdown Voltage Rating Low Capacitance: 2.5pF Maximum Surface Mount Package Ideally Suited for Automated Insertion Lead Free by Design/RoHS Compliant (Note 1) Halogen and Antimony Free Green Device (Notes 2 & 3) Qualified to AE 文件：238.94 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAV5004LP_15	文件：92.46 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE 文件：92.46 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAV5004LP	文件：300 bytes Page：1 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE	Diodes 美台半导体	Diodes
BAV5004LP-7B	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：0402（1006 公制）；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 350V 300MA 2DFN	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Configuration：
Single
Polarity：
Anode
Power Rating：
350 mW
ESD Diodes：
No Y/N
Peak Repetitive Reverse Voltage VRRM：
400 V
Reverse Recovery Time trr：
50 ns
Maximum Average Rectifier Current IO：
300 mA
Maximum Peak Forward Surge Current IFSM：
5 A
Forward Voltage Drop VF @ IF：
200
Maximum Reverse Current IR：
1 µA
Maximum Reverse Current IR @ VR：
240 V
V(BR)R (V) Min @IR=100μA：
400@150μA
Total Capacitance CT：
2.5 pF
VF(V) Max @ IF=1.0mA：
N/A
VF(V) Max @ IF=10mA：
N/A
VF(V) Max @ IF=100mA：
1.1
IR(nA) Max @ VR=5V：
N/A
IR(uA) Max @ VR=30V：
N/A
IR(uA) Max @ VR=80V：
1μA@240V
Packages：
X1-DFN1006-2

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