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BAV23CLT3G	文件：183.45 Kbytes Page：5 Pages	Switching Diode, Dual, High Voltage, Common Cathode Features •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating−HumanBodyModel:Class2 ESDRating−MachineModel:ClassC •FastSwitchingSpeed •SwitchingApplication •NSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 Qualified	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAV23CQ	文件：311.97 Kbytes Page：4 Pages	Marking：KT6；Package：SOT-23；Dual High-voltage Switching Diode Features ●EpoxymeetsUL-94V-0flammabilityratingandhalogenfree ●MoistureSensitivityLevel1 ●FastSwitchingSpeed ●HighConductance ●Partno.withsuffix“Q”meansAEC-Q101qualified Applications ●ForGeneralPurposeSwitchingApplications	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
BAV23CQ	文件：373.23 Kbytes Page：5 Pages	SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE DUAL SWITCHING DIODE Features •FastSwitchingSpeed •IdealforBattery-Powered,PortableApplications •HighReverseBreakdownVoltage •LowLeakageCurrent •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •TheBAV23AQ/CQ/SQissuitableforautomot	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAV23C-Q	文件：206.97 Kbytes Page：10 Pages	Marking：V9；Package：SOT23；Dual high-voltage switching diodes 1.Generaldescription Dualhigh-voltageswitchingdiodes,encapsulatedinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed:trr≤50ns •Lowleakagecurrent •Repetitivepeakreversevoltage:VRRM≤250V •Lowcapaci	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAV23CQ-13-F	文件：92.24 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE DUAL SWITCHING DIODE Features •FastSwitchingSpeed •SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomaticInsertion •ForGeneralPurposeSwitchingApplications •HighConductance	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAV23CQ-13-F	文件：373.23 Kbytes Page：5 Pages	Marking：KT6；Package：SOT23；SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE DUAL SWITCHING DIODE Features •FastSwitchingSpeed •IdealforBattery-Powered,PortableApplications •HighReverseBreakdownVoltage •LowLeakageCurrent •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •TheBAV23AQ/CQ/SQissuitableforautomot	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAV23CQ-7-F	文件：92.24 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE DUAL SWITCHING DIODE Features •FastSwitchingSpeed •SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomaticInsertion •ForGeneralPurposeSwitchingApplications •HighConductance	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAV23CQ-7-F	文件：373.23 Kbytes Page：5 Pages	Marking：KT6；Package：SOT23；SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE DUAL SWITCHING DIODE Features •FastSwitchingSpeed •IdealforBattery-Powered,PortableApplications •HighReverseBreakdownVoltage •LowLeakageCurrent •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •TheBAV23AQ/CQ/SQissuitableforautomot	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAV23C_15	文件：519.2 Kbytes Page：2 Pages	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
BAV23C_18	文件：106.02 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal Switching Diode, Dual	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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产品属性

产品编号：
BAV23C
制造商：
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
散装
二极管配置：
1 对共阴极
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
200mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
描述：
GEN PURP DIODE 250V 0.2A SOT-23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金芯阳科技有限公司	BAV23C	215	816000	15+	0	原厂原装	询价
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司	BAV23C		2015+		80	公司现货库存	询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司	BAV23C	KEC	20+	SOT-23	120000	原装正品可含税交易	询价
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更多BAV23C供应商更新时间2025-7-23 14:06:00

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