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BAV23	文件：678.38 Kbytes Page：9 Pages	丝印：L3；Package：SOT143B；Dual high-voltage switching diodes 1. General description Dual high-voltage switching diodes, encapsulated in a small SOT143B Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits • High switching speed: trr ≤ 50 ns • Low leakage current • Repetitive peak reverse voltage: VRRM ≤ 250 V • Low capacitance: Cd 文件：678.38 Kbytes 页数：9 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAV23	文件：905.82 Kbytes Page：13 Pages	丝印：L3；Package：SOT143B；Dual high-voltage switching diodes Features and benefits  High switching speed: trr  50 ns  Low leakage current  Repetitive peak reverse voltage: VRRM  250 V  Low capacitance: Cd  2 pF  Small SMD plastic package 文件：905.82 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAV23	文件：723.86 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES * Fast Switching Speed * High Conductance * For General Purpose Switching Applications 文件：723.86 Kbytes 页数：4 Pages	UMW 友台半导体	UMW
BAV23	文件：433.76 Kbytes Page：3 Pages	丝印：HC；Package：SOT-23；Silicon Epitaxial Planar Diodes 文件：433.76 Kbytes 页数：3 Pages	PJSEMI 平晶半导体	PJSEMI
BAV23	文件：283.62 Kbytes Page：3 Pages	丝印：HC；Package：SOT-23；Silicon Epitaxial Planar Diodes 文件：283.62 Kbytes 页数：3 Pages	GWSEMI 唯圣电子	GWSEMI
BAV23	文件：132.8 Kbytes Page：4 Pages	丝印：L30；Package：SOT-143；Surface mount switching diode 文件：132.8 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
BAV23	文件：210.41 Kbytes Page：4 Pages	Surface mount switching diode 文件：210.41 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
BAV23_SER	文件：905.82 Kbytes Page：13 Pages	Dual high-voltage switching diodes Features and benefits  High switching speed: trr  50 ns  Low leakage current  Repetitive peak reverse voltage: VRRM  250 V  Low capacitance: Cd  2 pF  Small SMD plastic package 文件：905.82 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAV23-7	文件：79.62 Kbytes Page：4 Pages	DUAL SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE Features • Fast Switching Speed • High Reverse Breakdown Voltage • Two Electrically Isolated Elements in a Single Compact Package • Low Leakage Current • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) 文件：79.62 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAV23A	文件：172.61 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE Features • Fast Switching Speed • Surface Mount Package Ideally Suited for Automated Insertion • High Reverse Breakdown Voltage • Low Leakage Current • Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant Green Device • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability Mechanical Data •Cas 文件：172.61 Kbytes 页数：2 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

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技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Standard (Q on Request)
Configuration：
Dual
Polarity：
Anode
Power Rating (mW)：
400 mW
N)：
No Y/N
Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)：
250 V
Reverse Recovery Time trr (ns)：
50 ns
Maximum Average Rectifier Current IO (mA)：
400 mA
Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A)：
9 A
Forward Voltage Drop VF @ IF (mA)：
100
Maximum ReverseCurrent IR (µA)：
0.1 µA
Maximum Reverse Current IR @ VR (V)：
200 V
V(BR)R (V) Min (µA)：
250
TotalCapacitance CT (pF)：
2 pF
VF(V) Max @ IF=1.0mA：
0.715
VF(V) Max @ IF=10mA：
0.855
IR(uA) Max @ VR=80V：
100nA@200V
Packages：
SOT143

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更多BAV23供应商更新时间2025-10-12 9:38:00

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