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BAV23C-HE3-08	文件：106.02 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal Switching Diode, Dual 文件：106.02 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BAV23C-HE3-18	文件：106.02 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal Switching Diode, Dual 文件：106.02 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BAV23CL	文件：104.79 Kbytes Page：4 Pages	Dual High Voltage Common Cathode Switching Diode 文件：104.79 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAV23CL_16	文件：103.59 Kbytes Page：4 Pages	Dual High Voltage Common Cathode Switching Diode 文件：103.59 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAV23CLT1G	文件：128.5 Kbytes Page：4 Pages	Dual High Voltage Common Cathode Switching Diode 文件：128.5 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAV23CLT1G	文件：103.59 Kbytes Page：4 Pages	Dual High Voltage Common Cathode Switching Diode 文件：103.59 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAV23CLT1G	文件：104.79 Kbytes Page：4 Pages	Dual High Voltage Common Cathode Switching Diode 文件：104.79 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAV23CLT3G	文件：103.59 Kbytes Page：4 Pages	Dual High Voltage Common Cathode Switching Diode 文件：103.59 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAV23CLT3G	文件：104.79 Kbytes Page：4 Pages	Dual High Voltage Common Cathode Switching Diode 文件：104.79 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAV23CQ-13-F	文件：92.23 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE DUAL SWITCHING DIODE 文件：92.23 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

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技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Standard (Q on Request)
Configuration：
Dual
Polarity：
Anode
Power Rating (mW)：
400 mW
N)：
No Y/N
Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)：
250 V
Reverse Recovery Time trr (ns)：
50 ns
Maximum Average Rectifier Current IO (mA)：
400 mA
Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A)：
9 A
Forward Voltage Drop VF @ IF (mA)：
100
Maximum ReverseCurrent IR (µA)：
0.1 µA
Maximum Reverse Current IR @ VR (V)：
200 V
V(BR)R (V) Min (µA)：
250
TotalCapacitance CT (pF)：
2 pF
VF(V) Max @ IF=1.0mA：
0.715
VF(V) Max @ IF=10mA：
0.855
IR(uA) Max @ VR=80V：
100nA@200V
Packages：
SOT143

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