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BAV199S	文件：146.49 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNT,LOWLEAKAGESWITCHINGDIODES VOLTAGE100VoltsPOWER200mWatts FEATURES •Sufacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. •Verylowleakagecurrent.2nAtypicalatVR=75V. •Lowcapacitance.2pFmaxatVR=0V,f=1MHz •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives MECHANICALDATA •Case:SOT-363plastic	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAV199SDF	文件：1.94958 Mbytes Page：15 Pages	SurfaceMountSwitchingDiodeArray	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
BAV199S-Q	文件：209.32 Kbytes Page：10 Pages	Low-leakagequadruplediode 1.Generaldescription High-speedquadrupleswitchingdiode,encapsulatedinaSOT363(SC-88)verysmallSurface- MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •PlasticSMDpackage •Lowleakagecurrent:typ.3pA •Switchingtime:typ.0.8μs •Continuousreversevoltag	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAV199T	文件：38.84 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE Features ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage ●VeryLowLeakageCurrent	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BAV199T	文件：56.93 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE Features •SmallSurfaceMountPackage •Ultra-LowReverseLeakageCurrent(5nA@VR=75V) •LowCapacitance •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) MechanicalData •Case:SOD523 •CaseMaterial:MoldedPlastic	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAV199T	文件：55.06 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE Features ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage ●VeryLowLeakageCurrent ●LeadFree/RoHSCompliant(Note2) ●QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAV199T	文件：76.66 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAV199TQ	文件：507.68 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE Features Ultra-SmallSurfaceMountPackage VeryLowLeakageCurrent TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) TheBAV199TQissuitableforautomotiveapplications requiringspecificchangecontrol;thispartisAEC-Q10	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAV199V	文件：143.67 Kbytes Page：7 Pages	Low-leakagedoublediode	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
BAV199W	文件：56.89 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNT,LOWLEAKAGESWITCHINGDIODES SURFACEMOUNT,LOWLEAKAGESWITCHINGDIODES VOLTAGE100VoltsPOWER200mWatts FEATURES •Sufacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. •Verylowleakagecurrent.2pAtypicalatVR=75V. •Lowcapacitance.2pFmaxatVR=0V,f=1MHz •BothnormalandPbfreeproduct	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	BAV199HMFHT116	Rohm Semiconductor	25+	TO-236-3 SC-59 SOT-23-3	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价

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