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BAV199DW_09

QUAD SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE

文件:93.28 Kbytes 页数:4 Pages

DIODES

美台半导体

BAV199DW_1

QUAD SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE

文件:74.08 Kbytes 页数:3 Pages

DIODES

美台半导体

BAV199DW_13

200mW 85Volt Plastic-Encapsulate Diode

文件:583.04 Kbytes 页数:3 Pages

MCC

BAV199DW_15

QUAD SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE

文件:93.28 Kbytes 页数:4 Pages

DIODES

美台半导体

BAV199DW_15

Switching Diode Plastic-Encapsulate Diode

文件:104.33 Kbytes 页数:1 Pages

SECOS

喜可士

BAV199DW_16

QUAD SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE

文件:383.08 Kbytes 页数:4 Pages

DIODES

美台半导体

BAV199DW_17

Surface Mount Fast Switching Diodes

文件:159.97 Kbytes 页数:3 Pages

BILIN

银河微电

BAV199DW-7-F

QUAD SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE

文件:383.08 Kbytes 页数:4 Pages

DIODES

美台半导体

BAV199DW-7-F

QUAD SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE

文件:74.08 Kbytes 页数:3 Pages

DIODES

美台半导体

BAV199DW-7-F

QUAD SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE

文件:93.28 Kbytes 页数:4 Pages

DIODES

美台半导体

技术参数

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP):

    Automotive

  • Configuration:

    Dual-Dual

  • Polarity:

    Anode

  • Power Rating (mW):

    200 mW

  • N):

    No Y/N

  • Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V):

    85 V

  • Reverse Recovery Time trr (ns):

    3000 ns

  • Maximum Average Rectifier Current IO (mA):

    160 mA

  • Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A):

    4 A

  • Forward Voltage Drop VF @ IF (mA):

    0

  • Maximum ReverseCurrent IR (µA):

    0.005 µA

  • Maximum Reverse Current IR @ VR (V):

    75 V

  • V(BR)R (V) Min (µA):

    85

  • TotalCapacitance CT (pF):

    2 pF

  • VF(V) Max @ IF=1.0mA:

    0.715

  • VF(V) Max @ IF=10mA:

    0.855

  • IR(uA) Max @ VR=80V:

    5nA@75V

  • Packages:

    SOT363

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更多BAV199DW供应商 更新时间2026-1-19 8:08:00