SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODES

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODES High Voltage General Purpose Diodes

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SEMTECH_ELEC

先之科半导体

HIGH SPEED SWITCHING DIODES

FEATURES : • Switching speed: max. 50 ns • General application • Continuous reverse voltage: max. 50 V, 100 V, 150 V and 200 V respectively • Repetitive peak reverse voltage: max. 60 V, 120 V, 200 V and 250 V respectively • Repetitive peak forward current: max. 625 mA. • Pb / RoH

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SYNSEMI

Single general-purpose switching diodes

Features and benefits * High switching speed: trr ≤ 50 ns * Low capacitance: Cd ≤ 5 pF * Low leakage current * Small hermetically sealed glass SMD package

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NEXPERIA

安世

200V Schottky diode

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SUNMATE

森美特

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200V Detection switch tube

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SUNMATE

森美特

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SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE

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SUNMATE

森美特

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250mA Surface Mount Schottky Barrier Diode

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SUNMATE

森美特

HIGH VOLTAGE SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES

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PANJIT

強茂

Ultrafast silicon rectifier diodes

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SEMIKRON

赛米控丹佛斯

Hermetically Sealed Glass High Voltage Switching Diodes

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TSC

台湾半导体