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BAV17	文件：83.87 Kbytes Page：4 Pages	丝印：BAV17；Small Signal Switching Diodes, High Voltage FEATURES • Silicon epitaxial planar diodes • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • General purposes 文件：83.87 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
BAV18	文件：83.87 Kbytes Page：4 Pages	丝印：BAV18；Small Signal Switching Diodes, High Voltage FEATURES • Silicon epitaxial planar diodes • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • General purposes 文件：83.87 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
BAV19	文件：83.87 Kbytes Page：4 Pages	丝印：BAV19；Small Signal Switching Diodes, High Voltage FEATURES • Silicon epitaxial planar diodes • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • General purposes 文件：83.87 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
BAV20	文件：83.87 Kbytes Page：4 Pages	丝印：BAV20；Small Signal Switching Diodes, High Voltage FEATURES • Silicon epitaxial planar diodes • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • General purposes 文件：83.87 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
BAV21	文件：83.87 Kbytes Page：4 Pages	丝印：BAV21；Small Signal Switching Diodes, High Voltage FEATURES • Silicon epitaxial planar diodes • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • General purposes 文件：83.87 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
BAV10	文件：34.6 Kbytes Page：7 Pages	High-speed diode DESCRIPTION The BAV10 is a high-speed switching diode fabricated in planar technology, and encapsulated in the hermetically sealed leaded glass SOD27 (DO-35) package. FEATURES • Hermetically sealed leaded glass SOD27 (DO-35) package • High switching speed: max. 6 ns • General application • C 文件：34.6 Kbytes 页数：7 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BAV10	文件：44.73 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Devices SWITCHING DIODES 文件：44.73 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BAV10	文件：44.73 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Devices SWITCHING DIODES 文件：44.73 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BAV10	文件：44.73 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Devices SWITCHING DIODES 文件：44.73 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BAV10	文件：30.4 Kbytes Page：2 Pages	HIGH SPEED SWITCHING DIODE FEATURES : • High switching speed: max. 6 ns • General application • Continuous reverse voltage:max. 60 V • Repetitive peak reverse voltage:max. 60 V • Repetitive peak forward current: max. 600 mA * Pb / RoHS Free 文件：30.4 Kbytes 页数：2 Pages	SYNSEMI	SYNSEMI

产品属性

产品编号：
BAV20
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
200mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr、F 时电容：
5pF @ 0V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装：
DO-35
工作温度 - 结：
175°C（最大）
描述：
DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BAV供应商更新时间2025-10-31 14:14:00

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