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BAT32

Silicon Schottky Diode

SiliconSchottkyDiode ●RFdetector ●Low-powermixer ●Zerobias ●Verylowcapacitance ●Forfrequenciesupto18GHz ●HiRel/Mil-testeddiodesavailable

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西门子德国西门子股份公司

BAT32ALS

丝印:9B;Package:DFN1006BD-2;General-purpose Schottky diode

1.Generaldescription General-purposeSchottkydiodeinanultrasmallDFN1006BD-2(SOD882BD)leadlessSurface- MountedDevice(SMD)plasticpackagewithside-wettableflanks. 2.Featuresandbenefits •Forwardcurrent:IF≤0.2A •Reversevoltage:VR≤30V •UltrasmallSMDplasticpac

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半导体(中国)有限公司

BAT32ALS-Q

丝印:9B;Package:DFN1006BD-2;General-purpose Schottky diode

1.Generaldescription General-purposeSchottkydiodeinanultrasmallDFN1006BD-2(SOD882BD)leadlessSurface- MountedDevice(SMD)plasticpackagewithside-wettableflanks. 2.Featuresandbenefits •Forwardcurrent:IF≤0.2A •Reversevoltage:VR≤30V •UltrasmallSMDplasticpac

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安世安世半导体(中国)有限公司

BAT32G113KC24NB

32KB Flash,可编程增益放大器,模拟比较器,12Bit ADC,12Bit DAC,标准I2C支持从机双地址,广泛适用于光通讯里面的光电转换模块、光纤网络模块、基站系统、精密仪器、工业控制设备和智能传感自动化系统等。; • ARM Cortex M0+内核 \n• 主频最高64MHz @2.0V-5.5V\n• 工作电压:2.0V-5.5V\n• 工作温度:-40℃ - 125℃ \n• 32KB Flash\n• 4KB SRAM\n• 多达29个GPIOs \n• 硬件乘除法器模块\n• 9个16Bit通用定时器 \n• 1个WDT\n• 1个SysTick 定时器 \n• 增强型DMA控制器 \n• 联动控制器\n• A/D转换 - 10个外部模拟通道的高精度12Bit ADC,1.42Msps\n• D/A转换 – 12Bit精度, 支持2通道\n• 内置1通道可编程增益放大器,1/2.5/4/8/10/16/32倍增益可选\n• 2通道比较器,输入源及基准电压可选\n• 1个I2C标准接口,支持从机双地址,2个简易I2C接口\n• 1个标准SPI接口\n• 2个UART接口,其中UART0个接口支持软件LIN-Bus\n• 符合IEC/UL 60730相关标准\n• 异常存储空间访问报错,硬件CRC校验,特殊SFR保护,防止误操作\n• 128位唯一ID号\n• 封装:QFN24,QFN32\n\n;

BAT32G113系列产品采用高性能的ARM Cortex M0+的32位RISC内核,最高可工作于64MHz,32KB Flash,4KB SRAM。本产品集成支持从机双地址的I2C、SPI、UART多种标准接口。集成12Bit ADC、12Bit DAC、温度传感器、比较器、可编程增益放大器。同时还具有出色的低功耗性能,支持睡眠和深度睡眠两种低功耗模式,设计灵活。其运行功耗为 80uA/MHz@64MHz,在深度睡眠模式下功耗仅1.5uA,可广泛适用于光模块,传感器以及移动设备等高性能低功耗应用领域。

CmsemiconShenzhen China Micro Semicon Co.,Ltd.

中微半导体中微半导体(深圳)股份有限公司

BAT32G113KC32NA

32KB Flash,可编程增益放大器,模拟比较器,12Bit ADC,12Bit DAC,标准I2C支持从机双地址,广泛适用于光通讯里面的光电转换模块、光纤网络模块、基站系统、精密仪器、工业控制设备和智能传感自动化系统等。; • ARM Cortex M0+内核 \n• 主频最高64MHz @2.0V-5.5V\n• 工作电压:2.0V-5.5V\n• 工作温度:-40℃ - 125℃ \n• 32KB Flash\n• 4KB SRAM\n• 多达29个GPIOs \n• 硬件乘除法器模块\n• 9个16Bit通用定时器 \n• 1个WDT\n• 1个SysTick 定时器 \n• 增强型DMA控制器 \n• 联动控制器\n• A/D转换 - 10个外部模拟通道的高精度12Bit ADC,1.42Msps\n• D/A转换 – 12Bit精度, 支持2通道\n• 内置1通道可编程增益放大器,1/2.5/4/8/10/16/32倍增益可选\n• 2通道比较器,输入源及基准电压可选\n• 1个I2C标准接口,支持从机双地址,2个简易I2C接口\n• 1个标准SPI接口\n• 2个UART接口,其中UART0个接口支持软件LIN-Bus\n• 符合IEC/UL 60730相关标准\n• 异常存储空间访问报错,硬件CRC校验,特殊SFR保护,防止误操作\n• 128位唯一ID号\n• 封装:QFN24,QFN32\n\n;

BAT32G113系列产品采用高性能的ARM Cortex M0+的32位RISC内核,最高可工作于64MHz,32KB Flash,4KB SRAM。本产品集成支持从机双地址的I2C、SPI、UART多种标准接口。集成12Bit ADC、12Bit DAC、温度传感器、比较器、可编程增益放大器。同时还具有出色的低功耗性能,支持睡眠和深度睡眠两种低功耗模式,设计灵活。其运行功耗为 80uA/MHz@64MHz,在深度睡眠模式下功耗仅1.5uA,可广泛适用于光模块,传感器以及移动设备等高性能低功耗应用领域。

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BAT32G127GH32FP

高性能的ARM Cortex M0+的32位RISC内核MCU; > ARM Cortex M0+内核\n> 主频最高32MHz @1.8V-5.5V\n> 35uA/MHz @32MHz \n> 工作电压:1.8V-5.5V\n> 工作温度:-40℃ - 105℃\n> 128KB Flash > 8KB SRAM\n> 2.5KB data flash\n> 多达60个GPIOs\n> 灵活配置的系统时钟,可自由切换\n> 硬件乘除法器模块\n> 8个16Bit通用定时器\n> 1个15Bit的间隔定时器(低功耗定时器)\n> 1个WDT \n> 1个RTC Timer\n> 增强型DMA控制器\n> 联动控制器\n> LCD控制器,支持4COM*42SEG/6COM*40SEG/8COM*38SEG\n> A/D转换 - 高达26个外部模拟通道的高精度12Bit ADC, 0.71Msps\n> D/A转换 - 支持1通道,8Bit精度,\n> 内置1通道运算放大器\n> 2通道比较器,输入源及基准电压可选\n> 1个I2C标准接口,3-6个简易I2C接口\n> 1个SPI标准接口,支持8bit和16bit\n> 3个UART接口,其中1个接口支持LIN-Bus \n> 支持超低功耗工作模式 – 睡眠模式/深度睡眠模式\n> 0.7uA @深度睡眠模式\n> 0.9uA @深度睡眠模式+32.768KHz+RTC\n> 符合IEC/UL 60730相关标准\n> 异常存储空间访问报错, 硬件CRC校验, 特殊SFR保护,防止误操作\n> 128位唯一ID号\n> 封装:LQFP64/LQFP48/QFN40/LQFP32\n\n;

BAT32G127系列产品采用高性能的ARM Cortex M0+的32位RISC内核,最高可工作于32MHz,128KB Flash,8KB SRAM。本产品集成I2C、 SPI、 UART多种标准接口。 集成12bitA/D转换器、8bit DAC,温度传感器、比较器,运算放大器。同时还具有出色的低功耗性能, 支持睡眠和深度睡眠两种低功耗模式,设计灵活。 其运行功耗为 35uA/MHz@32MHz,在深度睡眠模式下功耗仅0.7uA,适合采用电池供电的低功耗设备。

CmsemiconShenzhen China Micro Semicon Co.,Ltd.

中微半导体中微半导体(深圳)股份有限公司

BAT32LS

丝印:8X;Package:DFN1006BD-2;General-purpose Schottky diode

1.Generaldescription General-purposeSchottkydiodeinanultrasmallDFN1006BD-2(SOD882BD)leadlessSurface- MountedDevice(SMD)plasticpackagewithside-wettableflanks. 2.Featuresandbenefits •Forwardcurrent:IF≤0.2A •Reversevoltage:VR≤30V •UltrasmallSMDplasticpac

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安世安世半导体(中国)有限公司

BAT32LS-Q

丝印:8X;Package:DFN1006BD-2;General-purpose Schottky diode

1.Generaldescription General-purposeSchottkydiodeinanultrasmallDFN1006BD-2(SOD882BD)leadlessSurface- MountedDevice(SMD)plasticpackagewithside-wettableflanks. 2.Featuresandbenefits •Forwardcurrent:IF≤0.2A •Reversevoltage:VR≤30V •UltrasmallSMDplasticpac

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安世安世半导体(中国)有限公司

BAT32ALSYL

Package:SOD-882;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:SMALL SIGNAL BIPOLAR IN DFN PACK

ETC

ETC

BAT32LS-QYL

Package:SOD-882;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 2DFN

ETC

ETC

技术参数

  • Package name:

    DFN1006BD-2

  • Size (mm):

    1 x 0.6 x 0.47

  • VR [max] (V):

    30

  • IF [max] (A):

    0.2

  • Nr of functions:

    single

  • Configuration:

    single

  • IR [max] (µA):

    50

  • Cd [max] (pF):

    25

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
恩XP
24+
SOT-523
9200
新进库存/原装
询价
PHI
23+
SOT523
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
PHI
24+
NA/
6250
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
恩XP
2023+
SOT523
50000
原装现货
询价
PHI
25+
SOT523
3000
原装正品,假一罚十!
询价
ROHM/罗姆
24+
QFP-32
6618
公司现货库存,支持实单
询价
中微半导体
21+
292
全新原装鄙视假货
询价
CMSEMICON
21+
TSSOP20
8500
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
N/A
23+
80000
专注配单,只做原装进口现货
询价
PHI
2023+
SOT423
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
询价
更多BAT32供应商 更新时间2025-7-30 16:30:00