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BCX20LT1	文件：51.62 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors VoltageandcurrentarenegativeforPNPtransistors	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
BCX20LT1	文件：87.11 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors VoltageandcurrentarenegativeforPNPtransistors	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MMBTA20LT1	文件：316.57 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeAmplifier(NPNSilicon) GeneralPurposeAmplifier NPNSilicon	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBTA20LT1	文件：227.53 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeAmplifier(NPNSilicon) GeneralPurposeAmplifier NPNSilicon Features •Pb−FreePackageisAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBTA20LT1	文件：413.35 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeAmplifier GeneralPurposeAmplifier NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
SBAS20LT1G	文件：110.37 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode Features •NSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SBAS20LT1G	文件：110.32 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SBAS20LT1G	文件：75.93 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant •SandNSVPrefixesforAutomotiveandOtherApplications RequiringUniqueSiteandControlChangeRequirements; AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
BASH20LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
200mA
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
5pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
描述：
DIODE SWITCH 250V SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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