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SBAS20LT1G

High Voltage Switching Diode

Features • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant • S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

文件:75.93 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

SBAS20LT1G

High Voltage Switching Diode

Features • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

文件:110.37 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

SBAS20LT1G

High Voltage Switching Diode

文件:110.32 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

SBAS20LT1G

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    SBAS20LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    管件

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    200mA

  • 速度:

    小信号 =< 200mA(Io),任意速度

  • 不同 Vr、F 时电容:

    5pF @ 0V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SBAS20LT1G供应商 更新时间2025-10-5 14:17:00