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MMBTA20LT1分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

MMBTA20LT1
厂商型号

MMBTA20LT1

参数属性

MMBTA20LT1 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 40V 0.1A SOT23-3

功能描述

General Purpose Amplifier(NPN Silicon)
TRANS NPN 40V 0.1A SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

227.53 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-9 22:30:00

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MMBTA20LT1规格书详情

MMBTA20LT1属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体公司制造生产的MMBTA20LT1晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

General Purpose Amplifier

NPN Silicon

Features

• Pb−Free Package is Available

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MMBTA20LT1

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 5mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    125MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TRANS NPN 40V 0.1A SOT23-3

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