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BAS85	文件：25.87 Kbytes Page：5 Pages	Schottky barrier diode DESCRIPTION PlanarSchottkybarrierdiodewithanintegratedprotectionringagainststaticdischarges. ThissurfacemounteddiodeisencapsulatedinahermeticallysealedSOD80CglassSMDpackagewithtin-platedmetaldiscsateachend.Itissuitablefor“automaticplacement”andassuchitca	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BAS85	文件：60.82 Kbytes Page：2 Pages	SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES VOLTAGERANGE:30V CURRENT:0.2A FEATURES ◇Forgeneralpurposeapplications ◇Thisdiodefeaturesverylowturn-onvoltageandfastswitching.ThesedevicesareprotectedbyaPNjunctionguardringagainstexcessivevoltage,suchaselectrostaticdischarges	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BAS85	文件：75.33 Kbytes Page：2 Pages	200 mW LL-34 Hermetically Sealed Glass Fast Switching Schottky Barrier Diode SpecificationFeatures: ■LowForwardVoltageDrop ■LL-34Package(JEDEC) ■Through-HoleDeviceTypeMounting ■HermeticallySealedGlass ■CompressionBondedConstruction ■AllExternalSurfacesAreCorrosionResistantAndLeadsAreReadilySolderable ■RoHSCompliant ■SolderHotDipTi	TAK_CHEONGTak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd 德昌电子德昌电子（集团）有限公司	TAK_CHEONG
BAS85	文件：33.74 Kbytes Page：1 Pages	Schottky Darrier Diode Features ●Lowforwardvoltage ●Highbreakdownvoltage ●Guardringprotected	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BAS85	文件：51.68 Kbytes Page：1 Pages	200mW Hermetically Sealed Glass Fast Switching Schottky Barrier Diodes FEATURES -Lowforwardvoltagedrop -Idealforautomatedplacement -Hermeticallysealedglass -Compressionbondedconstruction -Allexternalsurfacesarecorrosionresistantandleadsarereadilysolderable -Solderhotdiptin(Sn)leadfinish	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BAS85	文件：149.48 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODE SCHOTTKYBARRIERDIODE UltraHigh-SpeedSwitching,VoltageClamping ProtectionCircuitsandBlockingApplications Features •Lowforwardvoltage. •Guardringprotected. •Hermetically-sealedleadedglasspackage.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BAS85	文件：60.08 Kbytes Page：1 Pages	Small-Signal Diode Schottky Diode Features ♦Forgeneralpurposeapplications. ♦Thisdiodefeatureslowturn-onvoltage. ♦ThedevicesareprotectedbyaPNjunctionguardringagainstexcessivevoltage,suchaselectrostaticdischarges. ♦ThisdiodeisalsoavailableintheDO-35casewithtypedesignationBAT85.	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
BAS85	文件：240.49 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SMALL SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DIODES VOLTAGE-30VoltsCURRENT-0.2Amperes FEATURES Forgeneralpurposeapplications Thisdiodefeaturesverylowturn-onvoltageandfastswitching.ThisdeviceisprotectedbyaPNjunctionguardringagainstexcessivevoltage,suchaselectrostaticdischarge(ESD) *Doubleslugtypeconstr	DCCOM Dc Components	DCCOM
BAS85	文件：701.19 Kbytes Page：3 Pages	200mW Small Signal Schottky Barrier Diodes 30 Volts Features •MoistureSensitivityLevel1 •Thisdiodefeatureslowturn-onvoltage •ThedevicesareprotectedbyaPNjunctionguardringagainst excessivevoltage,suchaselectrostaticdischarges •ThisdiodeisalsoavailableinaDO-35casewithtypedesignation BAT85 •LeadFree	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BAS85	文件：51.13 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Barrier Diode FEATURES •Forgeneralpurposeapplications •Thisdiodefeatureslowturn-onvoltage •ThedevicesareprotectedbyaPNjunctionguardringagainstexcessivevoltage,suchaselectrostaticdischarges •ThisdiodeisalsoavailableinaDO-35casewithtypedesignationBAT85 •AEC-Q101quali	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

技术参数

Package name：
LLDS; MiniMelf
Size (mm)：
3.5 x 1.5
VR [max] (V)：
30
IF [max] (mA)：
200
Configuration：
single
VF [max] (mV)：
400@IF=10mA
Cd [max] (pF)：
10
IR [max] (µA)：
2.3
@VR (V)：
25
Automotive qualified：
N

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