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BAS70-06T	文件：297.5 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODE FEATURES •LowTurn-onvoltage •Fastswitching	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
BAS70-06T	文件：33.43 Kbytes Page：1 Pages	SchottkyDiode Features •LowTurn-onvoltage •Fastswitching •Ultra-smallsurfacemountpackage •Alsoavailableinleadfreeversion	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BAS70-06T	文件：388.23 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifiers FEATURES •LowTurn-onvoltage •Fastswitching	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BAS70-06T	文件：604.08 Kbytes Page：3 Pages	150mWatt,70VoltSchottkyBarrierDiode Features •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LowturnonVoltage •FastSwitching •PNJunctionGuardRingforTransientandESDProtection •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BAS70-06T	文件：362.77 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BAS70-06-TP	文件：294.39 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierDiode200mWatt DESCRIPTION VariousconfigurationsofSchottkybarrier’sdiodesinSOT-23packageareprovidedforgeneral-purposeuseinhigh-speedswitching,mixersanddetectorapplications.Theymayalsobeusedforsignalintegrityandcounteractthetransmission-lineeffectswith(PC)boardtrancesbycla	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BAS70-06V	文件：547.6 Kbytes Page：5 Pages	SWITCHINGDIODE	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
BAS70-06-V	文件：137.14 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes,Single&Dual	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAS70-06-V	文件：78.6 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes,Single&Dual	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAS70-06-V	文件：137.14 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes,Single&Dual	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAS70-06-V	文件：156.54 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes,Single&Dual Features •Thesediodesfeatureverylowturn-onvoltageandfastswitching •ThesedevicesareprotectedbyaPNjunctionguardringagainstexcessivevoltage,suchaselectrostaticdischarges •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAS70-06W	文件：217.37 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierDiodes FEATURES •LowTurn-onvoltage •LowForwardVoltage-0.75V(Max)@IF=10mA •VeryLowCapacitance-LessThan2.0pF@0V Forhighspeedswitchingapplication,circuitprotection	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BAS70-06W	文件：137.22 Kbytes Page：20 Pages	General-purposeSchottkydiodes	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAS70-06W	文件：224.44 Kbytes Page：20 Pages	General-purposeSchottkydiodes Generaldescription General-purposeSchottkydiodesinsmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages. Features ■Highswitchingspeed ■Lowleakagecurrent ■Highbreakdownvoltage ■Lowcapacitance Applications ■Ultrahigh-speedswitching ■Voltageclamping	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BAS70-06W	文件：271.56 Kbytes Page：23 Pages	SiliconSchottkyDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BAS70-06W	文件：46.41 Kbytes Page：1 Pages	Schottkybarrier(double)diodes Features •Lowforwardvoltage •Highbreakdownvoltage •Guardringprotected •VerysmallSMDpackage •Lowcapacitance.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BAS70-06W	文件：553.37 Kbytes Page：12 Pages	SiliconSchottkyDiode SiliconSchottkyDiode •General-purposediodeforhigh-speedswitching •Circuitprotection •Voltageclamping •High-leveldetectingandmixing	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BAS70-06W	文件：172.73 Kbytes Page：4 Pages	SiliconSchottkyDiode(General-purposediodesforhigh-speedswitchingCircuitprotectionVoltageclamping) SiliconSchottkyDiode ●General-purposediodesforhigh-speedswitching ●Circuitprotection ●Voltageclamping ●High-leveldetectionandmixing	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BAS70-06W	文件：50.45 Kbytes Page：5 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODE DESCRIPTION SchottkybarrierdiodesencapsulatedeitherinSOT-323orSOD-323smallSMDpackages. Singleanddoublediodeswithdifferentpiningareavailable. FEATURESANDBENEFITS ■VERYSMALLCONDUCTIONLOSSES ■NEGLIGIBLESWITCHINGLOSSES ■LOWFORWARDVOLTAGEDROP ■SURFACEMOUNTDEVIC	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BAS70-06W	文件：55.79 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarrierdoublediodes Generaldescription General-purposeSchottkydiodesinsmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages. Features ■Highswitchingspeed ■Lowleakagecurrent ■Highbreakdownvoltage ■Lowcapacitance Applications ■Ultrahigh-speedswitching ■Voltageclamping	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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详细参数

型号：
BAS70-06S
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Silicon Schottky Diode Array(General-purpose diode for high-speed switching Circuit protection Voltage clamping)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	BAS70-06S	NEXPERIA/安世	20+	SOT-363	120000	原装正品可含税交易	询价
深圳市特莱科技有限公司	BAS70-06S	INFINEON/英飞凌	21+23+	SOT-23-6	27000	16年电子元件现货供应商终端BOM表可配单提供样品	询价
深圳市一线半导体有限公司	BAS70-06S	INFINEON	2004	SOT363	3000		询价
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