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BAS70-06W	文件：217.37 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierDiodes FEATURES •LowTurn-onvoltage •LowForwardVoltage-0.75V(Max)@IF=10mA •VeryLowCapacitance-LessThan2.0pF@0V Forhighspeedswitchingapplication,circuitprotection	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BAS70-06W	文件：553.37 Kbytes Page：12 Pages	SiliconSchottkyDiode SiliconSchottkyDiode •General-purposediodeforhigh-speedswitching •Circuitprotection •Voltageclamping •High-leveldetectingandmixing	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BAS70-06W	文件：172.73 Kbytes Page：4 Pages	SiliconSchottkyDiode(General-purposediodesforhigh-speedswitchingCircuitprotectionVoltageclamping) SiliconSchottkyDiode ●General-purposediodesforhigh-speedswitching ●Circuitprotection ●Voltageclamping ●High-leveldetectionandmixing	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BAS70-06W	文件：50.45 Kbytes Page：5 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODE DESCRIPTION SchottkybarrierdiodesencapsulatedeitherinSOT-323orSOD-323smallSMDpackages. Singleanddoublediodeswithdifferentpiningareavailable. FEATURESANDBENEFITS ■VERYSMALLCONDUCTIONLOSSES ■NEGLIGIBLESWITCHINGLOSSES ■LOWFORWARDVOLTAGEDROP ■SURFACEMOUNTDEVIC	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BAS70-06W	文件：55.79 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarrierdoublediodes Generaldescription General-purposeSchottkydiodesinsmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages. Features ■Highswitchingspeed ■Lowleakagecurrent ■Highbreakdownvoltage ■Lowcapacitance Applications ■Ultrahigh-speedswitching ■Voltageclamping	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAS70-06W	文件：46.41 Kbytes Page：1 Pages	Schottkybarrier(double)diodes Features •Lowforwardvoltage •Highbreakdownvoltage •Guardringprotected •VerysmallSMDpackage •Lowcapacitance.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BAS70-06W	文件：137.22 Kbytes Page：20 Pages	General-purposeSchottkydiodes	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAS70-06WFILM	文件：183.8 Kbytes Page：14 Pages	Lowcapacitance,lowseriesinductanceandresistanceSchottkydiodes Description TheBAS70seriesuses70VSchottkybarrierdiodespackagedinSOD-123,SOD-323,SOD-523,SOT-23,SOT-323,SOT-323-6LorSOT-666.ThesediodesarespeciallysuitedforsignaldetectionandtemperaturecompensationinRFapplications. Features ■Verylowconductionlosses ■Neg	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BAS70-06W-Q	文件：196.56 Kbytes Page：8 Pages	General-purposedualSchottkydiode 1.Generaldescription General-purposedualSchottkydiodeinasmallSOT323(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed •Lowleakagecurrent •Highbreakdownvoltage •Lowcapacitance •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecomm	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
BAS70-06S
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Silicon Schottky Diode Array(General-purpose diode for high-speed switching Circuit protection Voltage clamping)

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更多BAS70-06S供应商更新时间2025-7-19 14:00:00

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