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BAS70-04	文件：113.59 Kbytes Page：2 Pages	200mWattsSurfaceMountSchottkyBarrierDiode FEATURES -Lowturn-onvoltage -Fastswitching -PNjunctionguardringfortransientandESDprotection	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BAS70-04	文件：37.98 Kbytes Page：1 Pages	Schottkybarrier(double)diodes ■Features ●FastSwitchingSpeed ●Highbreakdownvoltage	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BAS70-04	文件：224.43 Kbytes Page：4 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES DESCRIPTION Lowturn-onandhighbreakdownvoltagediodesintendedforultrafastswitchingandUHFdetectorsinhybridmicrocircuits.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BAS70-04	文件：56.82 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierDiodes Features •LowTurn–onVoltage •FastSwitching •PNJunctionGuardRingforTransientandESDProtection Applications •Fastswitchesinthickandthinfilmcircuits	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAS70-04	文件：52.6 Kbytes Page：1 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE Description 70mAsurfacemountSchottkyBarrierDiodeinSOT23package,offerslowforwardvoltagedropandfastswitchingcapability,designedwithPNJunctionGuardRingforTransientandESDProtection. FeaturesandBenefits •LowTurn-OnVoltage •FastSwitching •PNJunctionGuardRingf	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAS70-04	文件：51.73 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyDiodes FEATURES ♦Thesediodesfeatureverylowturn-onvoltageandfastswitching. ♦ThesedevicesareprotectedbyaPNjunctionguardringagainstexcessivevoltage,suchaselectrostaticdischarges.	GE GE Industrial Company	GE
BAS70-04	文件：108.53 Kbytes Page：5 Pages	SiliconSchottkyDiodes(General-purposediodesforhigh-speedswitchingCircuitprotectionVoltageclampingHigh-leveldetectingandmixing) Features •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •General-purposediodesforhigh-speedswitching •Circuitprotection •Voltageclamping •High-leveldetectingandmixing •Hermeticallysealedmicrowavepackage •eesaqualified •ESA/SCCDetailSpec.No.:5512/020	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BAS70-04	文件：76.11 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSchottky-BarrierSingle-/Double-Diodes •Powerdissipation310mW •Repetitivepeakreversevoltage70V •PlasticcaseSOT-23 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BAS70-04	文件：553.37 Kbytes Page：12 Pages	SiliconSchottkyDiode SiliconSchottkyDiode •General-purposediodeforhigh-speedswitching •Circuitprotection •Voltageclamping •High-leveldetectingandmixing	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BAS70-04	文件：61.78 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarrierdoublediodes Generaldescription General-purposeSchottkydiodesinsmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages. Features ■Highswitchingspeed ■Lowleakagecurrent ■Highbreakdownvoltage ■Lowcapacitance Applications ■Ultrahigh-speedswitching ■Voltageclamping	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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