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BAS40W	文件：52.5 Kbytes Page：8 Pages	Marking：63*；Package：SOT-323；Schottky barrier double diodes DESCRIPTION PlanarSchottkybarrierdiodesencapsulatedinaSOT323verysmallplasticSMDpackage.Singlediodesanddoublediodeswithdifferentpinningareavailable. FEATURES •Lowforwardvoltage •Guardringprotected •VerysmallSMDpackage •Lowdiodecapacitance. APPLICATIONS •U	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAS40W	文件：364.78 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY DIODE FEATURES ●LowForwardVoltage ●FastSwitching	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
BAS40W	文件：634.07 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODE FEATURES Powerdissipation PD:200mW（Tamb=25℃） Collectorcurrent IF:200mA Collector-basevoltage VR:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ，Tstg:-55℃to+150℃	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
BAS40W	文件：142.28 Kbytes Page：2 Pages	SOT-323 Plastic-Encapsulate Diodes SCHOTTKYDIODE FEATURES ●Lowforwardvoltage ●Fastswitching	KISEMICONDUCTOR Kwang Myoung I.S. CO.,LTD	KISEMICONDUCTOR
BAS40W	文件：1.64903 Mbytes Page：2 Pages	Low Forward Voltage Drop, Fast Switching Features LowForwardvoltagedrop. Fastswitching. Ultra-smallsurfacemountpackage. PNjunctionguardringfortransientandESDprotection.	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
BAS40W	文件：278 Kbytes Page：3 Pages	Surface Mount Schottky Barrier Diode FEATURES ●LowForwardvoltagedrop. ●Fastswitching. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. ●PNjunctionguardringfortransientandESDprotection. APPLICATIONS ●Forgeneralpurposeswitchingapplications.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
BAS40W	文件：314.67 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Diode Features ◇LowForwardVoltage ◇FastSwitching	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BAS40W	文件：189.3 Kbytes Page：8 Pages	Marking：63；Package：SC-70；General-purpose Schottky diode 1.Generaldescription General-purposeSchottkydiodeinasmallSOT323Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed •Lowleakagecurrent •Highbreakdownvoltage •Lowcapacitance •AEC-Q101qualified 3.Applications •Ultrahigh-spe	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS40W	文件：98.94 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE SingleandDualDiode LowForwardVoltage PNJunctionGuardRingforTransientand ESDProtection ForGeneralPurposeSwitchingApplications PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
BAS40W	文件：563.87 Kbytes Page：5 Pages	150mW Plastic-Encapsulate Schottky Barrier Diodes FEATURES ●LowForwardVoltageDrop ●FastSwitching ●MoistureSensitivityLevel1	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司	WILLAS

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产品属性

产品编号：
BAS40X
制造商：
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
200mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr、F 时电容：
5pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-79，SOD-523
供应商器件封装：
SOD-523
工作温度 - 结：
125°C（最大）
描述：
DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD523

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