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BAS40-05W	文件：136.46 Kbytes Page：21 Pages	General-purposeSchottkydiodes	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BAS40-05W	文件：193.88 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE Features •Lowforwardvoltage •Fastswitching	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BAS40-05W	文件：141.07 Kbytes Page：4 Pages	SiliconSchottkyDiode(General-purposediodesforhigh-speedswitchingCircuitprotectionVoltageclamping) SiliconSchottkyDiode ●General-purposediodesforhigh-speedswitching ●Circuitprotection ●Voltageclamping ●High-leveldetectingandmixing	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BAS40-05W	文件：52.5 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarrierdoublediodes DESCRIPTION PlanarSchottkybarrierdiodesencapsulatedinaSOT323verysmallplasticSMDpackage.Singlediodesanddoublediodeswithdifferentpinningareavailable. FEATURES •Lowforwardvoltage •Guardringprotected •VerysmallSMDpackage •Lowdiodecapacitance. APPLICATIONS •U	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BAS40-05W	文件：227.24 Kbytes Page：21 Pages	General-purposeSchottkydiodes Generaldescription General-purposeSchottkydiodesinsmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages. Features ■Highswitchingspeed ■Lowleakagecurrent ■Highbreakdownvoltage ■Lowcapacitance Applications ■Ultrahigh-speedswitching ■Voltageclamping	ETC	ETC
BAS40-05W	文件：170.2 Kbytes Page：15 Pages	SiliconSchottkyDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BAS40-05W	文件：227.24 Kbytes Page：21 Pages	General-purposeSchottkydiodes	ETC	ETC
BAS40-05W	文件：227.24 Kbytes Page：21 Pages	General-purposeSchottkydiodes Generaldescription General-purposeSchottkydiodesinsmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages. Features ■Highswitchingspeed ■Lowleakagecurrent ■Highbreakdownvoltage ■Lowcapacitance Applications ■Ultrahigh-speedswitching ■Voltageclamping	ETC	ETC
BAS40-05W	文件：1.51603 Mbytes Page：10 Pages	SurfaceMountSwitchingDiode	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
BAS40-05W	文件：610.28 Kbytes Page：8 Pages	General-purposedualSchottkydiode 1.Generaldescription General-purposedualSchottkydiodeinasmallSOT323Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed •Lowleakagecurrent •Highbreakdownvoltage •Lowcapacitance 3.Applications •Ultrahigh-speedswitching •V	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
SOT-23
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Automotive
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Package Code：
SOT-23
Package Size[mm]：
2.9x2.4 (t=0.95)
Mounting Style：
Surface mount
Number of terminal：
3
VRM[V]：
40
Reverse Voltage VR[V]：
40
Average Rectified Forward Current IO[A]：
0.12
IFSM[A]：
0.6
Forward Voltage VF(Max.)[V]：
1.0
IF @ Forward Voltage [A]：
0.04
Reverse Current IR(Max.)[mA]：
0.01
VR @ Reverse Current[V]：
40
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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