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BAS40-04	文件：66.17 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKYDIODE FEATURES Powerdissipation PD:200mW(Tamb=25℃) ForwardCurrent IF:200mA ReverseVoltage VR:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
BAS40-04	文件：290.84 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountschottkybarrierdiode Surfacemountschottkybarrierdiode FEATURES ●Lowturn-onvoltage. ●Fastswitching. ●PNJunctionguardringfortransientand ESDprotection. APPLICATIONS ●Highspeedswitchingapplications. ●Circuitprotecting. ●Voltageclamping.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BAS40-04	文件：155.24 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE Description 200mAsurfacemountSchottkyBarrierDiodeinSOT23package,offerslowforwardvoltagedropandfastswitchingcapability,designedwithPNJunctionGuardRingforTransientandESDProtection,totallylead-freefinishandRoHScompliant,”Green”device. FeaturesandBenefits •Low	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BAS40-04	文件：227.24 Kbytes Page：21 Pages	General-purposeSchottkydiodes Generaldescription General-purposeSchottkydiodesinsmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages. Features ■Highswitchingspeed ■Lowleakagecurrent ■Highbreakdownvoltage ■Lowcapacitance Applications ■Ultrahigh-speedswitching ■Voltageclamping	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BAS40-04	文件：75.62 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFSURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODES VOLTAGE-40VoltsCURRENT-0.2Ampere FEATURES Forgeneralpurposeapplications Lowforwardvoltagedrop. Fastswitchingtime. ProtectedbyaPNjunctionguardringagainstexcessive voltage,suchaselectrostaticdischarge(ESD).	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
BAS40-04	文件：119.14 Kbytes Page：1 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE Features •Lowforwardvoltage •Fastswitching	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BAS40-04	文件：95.13 Kbytes Page：2 Pages	200mW,LowVF,SMDSchottkyBarrierDiode FEATURES -Metal-on-siliconschottkybarrier -Surfacedevicetypemounting -Moisturesensitivitylevel1 -MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate -PackingcodewithsuffixGmeans greencompound(halogen-free)	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
BAS40-04	文件：170.2 Kbytes Page：15 Pages	SiliconSchottkyDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BAS40-04	文件：941.72 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierDiodes	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
BAS40-04	文件：408.35 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODE FEATURES ●LowForwardVoltage ●FastSwitching	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
BAS40-04	文件：272.2 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierDiode200mWatt DESCRIPTION VariousconfigurationsofSchottkybarrier’sdiodesinSOT-23packageareprovidedforgeneral-purposeuseinhigh-speedswitching,mixersanddetectorapplications.Theymayalsobeusedforsignalintegrityandcounteractthetransmission-lineeffectswith(PC)boardtrancesbycla	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BAS40-04	文件：213.09 Kbytes Page：2 Pages	200mW,LowVF,SMDSchottkyBarrierDiode	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
BAS40-04	文件：108.44 Kbytes Page：5 Pages	SiliconSchottkyDiodes(General-purposediodesforhigh-speedswitchingCircuitprotectionVoltageclamping) HiRelSiliconSchottkyDiode Features •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •General-purposediodesforhigh-speedswitching •Circuitprotection •Voltageclamping •High-leveldetectingandmixing •Hermeticallysealedmicrowavepackage •ESAQualificationpending	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BAS40-04	文件：143.2 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierSingle/DoubleDiodes	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BAS40-04	文件：153.1 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierSingle/DoubleDiodes	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BAS40-04	文件：336.99 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountschottkybarrierdiode FEATURES ●Lowturn-onvoltage. ●Fastswitching. ●PNJunctionguardringfortransientand ESDprotection. APPLICATIONS ●Highspeedswitchingapplications. ●Circuitprotecting. ●Voltageclamping.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
BAS40-04	文件：676.27 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiodes	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
BAS40-04	文件：484.98 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountschottkybarrierdiode	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BAS40-04	文件：990.3 Kbytes Page：15 Pages	General-purposediodeforhigh-speedswitching SiliconSchottkyDiode •General-purposediodeforhigh-speedswitching •Circuitprotection •Voltageclamping •High-leveldetectingandmixing •Pb-free(RoHScompliant)package •QualifiedaccordingAECQ1011)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BAS40-04	文件：221.49 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountschottkybarrierdiode	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN

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详细参数

型号：
BAS40-04 T/R
制造商：
NXP Semiconductors
功能描述：
Diode Schottky 40V 0.12A 3-Pin TO-236AB T/R

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市弘为电子有限公司	BAS40-04WT/R	PH	22+	NA	30000	原装现货假一罚十	询价
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	BAS40-04-13-F	Diodes Incorporated	24+	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3	9350	独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证	询价
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更多BAS40-04 T/R供应商更新时间2024-6-18 17:27:00

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