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BAS386-TR3	文件：365.87 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal Schottky Diode FEATURES •Integratedprotectionringagainststaticdischarge •Verylowforwardvoltage •AEC-Q101qualified •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Applicationswhereaverylowforwardvoltageisrequired	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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BAS386-TR3	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：2-SMD，无引线；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 50V 200MA MICMELF	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SNA-386-TR3	文件：351.09 Kbytes Page：4 Pages	DC3GHZCASCADABLEGAASMMICAMPLIFIER [Sirenza] ProductDescription SirenzaMicrodevices’SNA-386isaGaAsmonolithicbroadbandamplifier(MMIC)housedinalow-costsurfacemountableplasticpackage.At1950MHz,thisamplifierprovides21dBofgainwhenbiasedat35mA. ProductFeatures •PatentedGaAsHBTTechnology •Cascadabl	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

产品属性

产品编号：
BAS386-TR3
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
200mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr、F 时电容：
8pF @ 1V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
2-SMD，无引线
供应商器件封装：
MicroMELF
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 50V 200MA MICMELF

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