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BAS299中文资料HIGH SPEED HIGH CURRENT QUAD SWITCHING DIODE数据手册Diodes规格书

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厂商型号

BAS299

参数属性

BAS299 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:FAST SWITCHING DIODE SOT23

功能描述

HIGH SPEED HIGH CURRENT QUAD SWITCHING DIODE
FAST SWITCHING DIODE SOT23

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 16:56:00

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BAS299规格书详情

描述 Description

High-Speed High-Current Quad Switching Diode

特性 Features

• High-Switching Speed, High Current
• Surface Mount Package Ideally Suited for Automated Insertion
• For General Purpose Switching Applications
• High Conductance

简介

BAS299属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的BAS299二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BAS299

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP)

    :Standard

  • Configuration

    :dual

  • Polarity

    :Anode

  • Power Rating (mW)

    :300 mW

  • ESD Diodes (Y|N)

    :No Y/N

  • Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)

    :100 V

  • Reverse Recovery Time trr (ns)

    :6 ns

  • Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A)

    :9 A

  • Forward Voltage Drop VF @ IF (mA)

    :0.715V @ 1mA mA

  • Maximum ReverseCurrent IR (µA)

    :1 µA

  • Maximum Reverse Current IR @ VR (V)

    :1μA @ 100 V V

  • V(BR)R (V) Min (µA)

    :100

  • TotalCapacitance CT (pF)

    :1.5 pF

  • VF(V) Max @ IF=1.0mA

    :0.715

  • Packages

    :SOT23

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