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BAS29数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

BAS29

参数属性

BAS29 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23

功能描述

General purpose controlled avalanche (double) diodes

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 17:46:00

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BAS29规格书详情

描述 Description

General purpose switching diodes fabricated in planar technology, and encapsulated in small rectangular plastic SMD SOT23 packages. The BAS29 consists of a single diode. The BAS31 has two diodes in series. The BAS35 has two diodes with a common anode.

特性 Features

• Small plastic SMD package
• Switching speed: max. 50 ns
• General application
• Continuous reverse voltage: max. 90 V
• Repetitive peak reverse voltage: max. 110 V
• Repetitive peak forward current: max. 600 mA
• Repetitive peak reverse current: max. 600 mA.
• AEC-Q101 qualified

应用 Application

• General purpose switching in e.g. surface mounted circuits.

技术参数

  • 产品编号:

    BAS29

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    200mA

  • 速度:

    小信号 =< 200mA(Io),任意速度

  • 不同 Vr、F 时电容:

    2pF @ 0V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 工作温度 - 结:

    150°C(最大)

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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