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BAS21WT	文件：189.65 Kbytes Page：2 Pages	200mW Switching Diode 文件：189.65 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
BAS21WT	文件：157.76 Kbytes Page：2 Pages	200mW Switching Diode 文件：157.76 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
BAS21W-T1	文件：52.89 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE 文件：52.89 Kbytes 页数：4 Pages	WTE Won-Top Electronics	WTE
BAS21W	文件：300 bytes Page：1 Pages	High-voltage switching diodes High-voltage switching diodes, encapsulated in a very small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. • High switching speed: trr ≤ 50 ns\n• Low capacitance: Cd ≤ 2 pF\n• Low leakage current\n• Very small SMD plastic package\n• High reverse voltage: VR ≤ 250 V\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
BAS21W	文件：300 bytes Page：1 Pages	switching diode	Diodes 美台半导体	Diodes
BAS21WR13	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Signal Diodes	Diotec 德欧泰克	Diotec
BAS21W,115	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 250V 225MA SOT323	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS21W_R1_00001	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE	PANJIT 強茂	PANJIT
BAS21W-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT323	PAM 龙鼎微	PAM

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技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Automotive
Configuration：
Single
Polarity：
Anode
Power Rating (mW)：
200 mW
N)：
No Y/N
Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)：
250 V
Reverse Recovery Time trr (ns)：
50 ns
Maximum Average Rectifier Current IO (mA)：
200 mA
Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A)：
2.5 A
Forward Voltage Drop VF @ IF (mA)：
0
Maximum ReverseCurrent IR (µA)：
0.1 µA
Maximum Reverse Current IR @ VR (V)：
250 V
V(BR)R (V) Min (µA)：
250
TotalCapacitance CT (pF)：
5 pF
VF(V) Max @ IF=100mA：
1
IR(uA) Max @ VR=80V：
100nA@250V
Packages：
SOT323

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	BAS21W	Nexperia/安世	24+	SOT-323	9524	原装正品,现货库存,1小时内发货	询价
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