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BAS21TM	文件：113.95 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE ARRAY Features • Fast Switching Speed: max. 50ns • Continuous Reverse Voltage: max. 200V • Repetitive Peak Reverse Voltage: max. 250V • Repetitive Peak Forward Current: max. 1A • Small Surface Mount Package • For General Purpose Switching Applications • Totally Lead-Free & Fully RoHS Complian 文件：113.95 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAS21TM-7	文件：113.95 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE ARRAY Features • Fast Switching Speed: max. 50ns • Continuous Reverse Voltage: max. 200V • Repetitive Peak Reverse Voltage: max. 250V • Repetitive Peak Forward Current: max. 1A • Small Surface Mount Package • For General Purpose Switching Applications • Totally Lead-Free & Fully RoHS Complian 文件：113.95 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAS21TMQ	文件：370.53 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SURFACE MOUNT DUAL SWITCHING DIODE Features  Fast Switching Speed: max. 50ns  Continuous Reverse Voltage: max. 200V  Repetitive Peak Reverse Voltage: max. 250V  Repetitive Peak Forward Current: max. 1A  Small Surface Mount Package  For General Purpose Switching Applications  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (N 文件：370.53 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAS21TMQ-13	文件：370.53 Kbytes Page：4 Pages	丝印：XJJ；Package：SOT26；HIGH VOLTAGE SURFACE MOUNT DUAL SWITCHING DIODE Features  Fast Switching Speed: max. 50ns  Continuous Reverse Voltage: max. 200V  Repetitive Peak Reverse Voltage: max. 250V  Repetitive Peak Forward Current: max. 1A  Small Surface Mount Package  For General Purpose Switching Applications  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (N 文件：370.53 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAS21TMR6	文件：58.14 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage Switching Diode High Voltage Switching Diode The BAS21TMR6T1G device houses three high−voltage switching diodes in a SC−74 surface mount package. This device is ideal for low−power surface mount applications where board space is at a premium. Features • Reduces Board Space • NSV Prefix for Automotive and Othe 文件：58.14 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS21TMR6T1G	文件：58.14 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage Switching Diode High Voltage Switching Diode The BAS21TMR6T1G device houses three high−voltage switching diodes in a SC−74 surface mount package. This device is ideal for low−power surface mount applications where board space is at a premium. Features • Reduces Board Space • NSV Prefix for Automotive and Othe 文件：58.14 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS21TM_15	文件：198 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE ARRAY 文件：198 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAS21TM-7	文件：198 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE ARRAY 文件：198 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAS21TMQ-13	文件：198 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE ARRAY 文件：198 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAS21TM	文件：300 bytes Page：1 Pages	Switching Diode	Diodes 美台半导体	Diodes

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技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Automotive
Configuration：
Triple
Polarity：
Anode
Power Rating (mW)：
300 mW
N)：
No Y/N
Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)：
250 V
Reverse Recovery Time trr (ns)：
50 ns
Maximum Average Rectifier Current IO (mA)：
200 mA
Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A)：
10 A
Forward Voltage Drop VF @ IF (mA)：
100
Maximum ReverseCurrent IR (µA)：
0.1 µA
Maximum Reverse Current IR @ VR (V)：
250 V
V(BR)R (V) Min (µA)：
250
TotalCapacitance CT (pF)：
5 pF
VF(V) Max @ IF=1.0mA：
0.9
VF(V) Max @ IF=10mA：
1
IR(uA) Max @ VR=80V：
100nA@250V
Packages：
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技术参数

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