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BAS21H-T1	文件：95.14 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE Silicon Epitaxial Planar Die Construction Fast Switching Speed Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion For General Purpose Switching Applications Plastic Material – UL Recognition Flammability Classification 94V-0 文件：95.14 Kbytes 页数：4 Pages	WTE Won-Top Electronics	WTE
BAS21HT1G	文件：1.09869 Mbytes Page：3 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE ● We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. ● S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 文件：1.09869 Mbytes 页数：3 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
BAS21HT1G	文件：60.93 Kbytes Page：2 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE Lead free product HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE Lead free product 文件：60.93 Kbytes 页数：2 Pages	ZOWIE 智威	ZOWIE
BAS21HT1G	文件：58.41 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage Switching Diode Features • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：58.41 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS21HT3G	文件：58.41 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage Switching Diode Features • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：58.41 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS21HT3G	文件：110.37 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode Features • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：110.37 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS21HY	文件：1.37634 Mbytes Page：8 Pages	丝印：6S；Package：SOT-23；Switching Diode Features High reliability Small mold type High speed switching High current overload capacity Application General rectification Structure Epitaxial planar 文件：1.37634 Mbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BAS21HYFH	文件：1.38781 Mbytes Page：8 Pages	丝印：6S；Package：SOT-23；Switching Diode Features High reliability Small mold type High speed switching High current overload capacity Application General rectification Structure Epitaxial planar 文件：1.38781 Mbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BAS21H_17	文件：104.55 Kbytes Page：3 Pages	High Voltage Switching Diodes 文件：104.55 Kbytes 页数：3 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
BAS21HM	文件：1.07306 Mbytes Page：7 Pages	Switching Diode 文件：1.07306 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Maximum Average Rectified CurrentIO(mA)：
200
Maximum Forward Peak Surge CurrentIFSM(A)：
0.5
Maximum Reverse CurrentIR(uA)：
0.1
@ VR(V)：
250
@ IF(mA)：
200
Maximum Forward VoltageVF(V)：
1.25
Maximum Reverse Reconery TimeTRR(nS)：
50
Package：
SC-76

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更多BAS21H供应商更新时间2025-10-13 8:40:00

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