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BAS19-G3-18

Small Signal Switching Diodes, High Voltage

FEATURES •Siliconepitaxialplanardiode •FastswitchingdiodeincaseSOT-23,especiallysuitedforautomaticinsertion •Generalpurposeswitchingapplications •Highconductance •AEC-Q101qualifiedavailable(partnumberonrequest) •BaseP/N-G3-green,commercialgrade •Material

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

BAS19-G3-18

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

产品属性

  • 产品编号:

    BAS19-G3-18

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    200mA

  • 速度:

    小信号 =< 200mA(Io),任意速度

  • 不同 Vr、F 时电容:

    5pF @ 0V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

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更多BAS19-G3-18供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00