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BAS16VY	文件：150.73 Kbytes Page：20 Pages	High-speed switching diodes General description High-speed switching diodes, encapsulated in small Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. Features ■ High switching speed: trr ≤ 4 ns ■ Low capacitance ■ Low leakage current ■ Reverse voltage: VR ≤ 100 V ■ Repetitive peak reverse voltage: VRRM ≤ 1 文件：150.73 Kbytes 页数：20 Pages	恩XP	恩XP
BAS16VY	文件：81.04 Kbytes Page：12 Pages	Triple high-speed switching diodes General description High-speed switching diodes, encapsulated in small Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. Features ■ High switching speed: trr ≤ 4 ns ■ Low capacitance ■ Low leakage current ■ Reverse voltage: VR ≤ 100 V ■ Repetitive peak reverse voltage: VRRM ≤ 1 文件：81.04 Kbytes 页数：12 Pages	恩XP	恩XP
BAS16VY	文件：213.26 Kbytes Page：11 Pages	丝印：16；Package：TSSOP6；High-speed switching diode 1. General description High-speed switching diode, encapsulated in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits • High switching speed: trr ≤ 4 ns • Low capacitance • Low leakage current • Reverse voltage: VR ≤ 100 V • Repetitive peak 文件：213.26 Kbytes 页数：11 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BAS16VY	文件：773.33 Kbytes Page：21 Pages	丝印：16；Package：SC-88；High-speed switching diodes Features and benefits  High switching speed: trr  4 ns  Low leakage current  Repetitive peak reverse voltage: VRRM  100 V  AEC-Q101 qualified  Low capacitance  Reverse voltage: VR  100 V  Small SMD plastic packages 文件：773.33 Kbytes 页数：21 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BAS16VY	文件：773.63 Kbytes Page：21 Pages	High-speed switching diodes General description High-speed switching diodes, encapsulated in small Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages Applications  High-speed switching  General-purpose switching 文件：773.63 Kbytes 页数：21 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BAS16VY	文件：150.73 Kbytes Page：20 Pages	High-speed switching diodes General description High-speed switching diodes, encapsulated in small Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. Features ■ High switching speed: trr ≤ 4 ns ■ Low capacitance ■ Low leakage current ■ Reverse voltage: VR ≤ 100 V ■ Repetitive peak reverse voltage: VRRM ≤ 1 文件：150.73 Kbytes 页数：20 Pages	恩XP	恩XP
BAS16VY	文件：67.84 Kbytes Page：12 Pages	Triple high-speed switching diodes 文件：67.84 Kbytes 页数：12 Pages	PHI PHI	PHI
BAS16VY	文件：150.73 Kbytes Page：20 Pages	High-speed switching diodes, encapsulated in small Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages 文件：150.73 Kbytes 页数：20 Pages	恩XP	恩XP
BAS16VY	文件：150.73 Kbytes Page：20 Pages	High-speed switching diodes 文件：150.73 Kbytes 页数：20 Pages	恩XP	恩XP
BAS16VY	文件：150.73 Kbytes Page：20 Pages	High-speed switching diodes 文件：150.73 Kbytes 页数：20 Pages	恩XP	恩XP

技术参数

平均整流电流IF：
200mA
正向压降VF：
1.25V @ 150mA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
京海半导体(深圳)有限公司	BAS16VY	恩XP	25+	SOT363	20000	原装现货假一罚十	询价
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更多BAS16VY供应商更新时间2026-10-23 12:13:00

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