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BAS16HT1	文件：110.84 Kbytes Page：4 Pages	Switching Diode 文件：110.84 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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BAS16HT1_05	文件：45.31 Kbytes Page：4 Pages	Switching Diode 文件：45.31 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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BAS16HT1G	文件：45.31 Kbytes Page：4 Pages	Switching Diode 文件：45.31 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS16HT1G	文件：217.45 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal Diode 文件：217.45 Kbytes 页数：5 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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BAS16HTW-13R	文件：334.64 Kbytes Page：5 Pages	SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE ARRAY 文件：334.64 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

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技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Standard (Q on Request)
Configuration：
Triple
Polarity：
Anode
Power Rating (mW)：
350 mW
N)：
No Y/N
Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)：
100 V
Reverse Recovery Time trr (ns)：
4 ns
Maximum Average Rectifier Current IO (mA)：
200 mA
Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A)：
4 A
Forward Voltage Drop VF @ IF (mA)：
0.715 mA
Maximum ReverseCurrent IR (µA)：
0.5 µA
Maximum Reverse Current IR @ VR (V)：
0.5 V
V(BR)R (V) Min (µA)：
100
TotalCapacitance CT (pF)：
1.5 pF
VF(V) Max @ IF=1.0mA：
0.715
IR(uA) Max @ VR=80V：
0.5
Packages：
SOT563

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技术参数

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