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BD680A	文件：153 Kbytes Page：6 Pages	MediumPowerLinearandSwitching	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD680AG	文件：59.19 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium?뭁owerSiliconPNPDarlingtons PlasticMedium−PowerSiliconPNPDarlingtons Thisseriesofplastic,medium−powersiliconPNPDarlingtontransistorscanbeusedasoutputdevicesincomplementarygeneral−purposeamplifierapplications. Features •HighDCCurrentGain−hFE=750(Min)@IC=1.5and2.0Adc •MonolithicCons	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD680AG	文件：87.44 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium-PowerSiliconPNPDarlingtons	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD680CS	文件：123.03 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS Voltage40~200VCurrent6A Features ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O. ●Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace ●Lowpowerloss,Highefficiency ●Highsurgecapacity ●Hightemperaturesolderingguaranteed:260oC	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BD680CS	文件：146.79 Kbytes Page：2 Pages	6.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
BD680CT	文件：46.68 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •Forsurfacemountedapplications •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Lowpowerloss,Highefficiency •Highsurgecapacity •F	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BD680CT	文件：147.04 Kbytes Page：2 Pages	6.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
BD680G	文件：59.19 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium?뭁owerSiliconPNPDarlingtons PlasticMedium−PowerSiliconPNPDarlingtons Thisseriesofplastic,medium−powersiliconPNPDarlingtontransistorscanbeusedasoutputdevicesincomplementarygeneral−purposeamplifierapplications. Features •HighDCCurrentGain−hFE=750(Min)@IC=1.5and2.0Adc •MonolithicCons	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD680G	文件：87.44 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium-PowerSiliconPNPDarlingtons	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BF680	文件：67.1 Kbytes Page：4 Pages	Silizium-PNP-HF-TransistorenSiliconPNPRFTransistors Features: Highpowergain Lownoisefigures Highreverseattenuation	TELEFUNKEN TELEFUNKEN Elektroakustik	TELEFUNKEN

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