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BD660CS	文件：123.03 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS Voltage40~200VCurrent6A Features ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O. ●Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace ●Lowpowerloss,Highefficiency ●Highsurgecapacity ●Hightemperaturesolderingguaranteed:260oC	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BD660CT	文件：46.68 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •Forsurfacemountedapplications •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Lowpowerloss,Highefficiency •Highsurgecapacity •F	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BF660	文件：39.04 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconRFTransistor(ForVHFoscillatorapplications) PNPSiliconRFTransistor ●ForVHFoscillatorapplications	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BF660W	文件：59.42 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconRFTransistor(ForVHFoscillatorapplications) PNPSiliconRFTransistor •ForVHFoscillatorapplications	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFU660F	文件：131 Kbytes Page：12 Pages	NPNwidebandsiliconRFtransistor Generaldescription NPNsiliconmicrowavetransistorforhighspeed,lownoiseapplicationsinaplastic,4-pindual-emitterSOT343Fpackage. Featuresandbenefits ■LownoisehighlinearityRFtransistor ■Highoutputthird-orderinterceptpoint27dBmat1.8GHz ■40GHzfTsilicontechnolo	ETC	ETC
BFU660F	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	ETC	ETC
BFU660FWB	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	ETC	ETC
BRUS660	文件：58.03 Kbytes Page：2 Pages	ULTRA-FASTRECOVERY8AMPERESSINGLE-PHASE,FULL-WAVEBRIDGESHEATSINKCHASSISP.C.BOARDMOUNTING	edi Electronic devices inc.	edi
BTS660P	文件：707.45 Kbytes Page：16 Pages	SmartHighsideHighCurrentPowerSwitch	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
CAT660	文件：497.04 Kbytes Page：16 Pages	100mACMOSChargePumpInverter/Doubler DESCRIPTION TheCAT660isacharge-pumpvoltageconverter.Itwillinverta1.5Vto5.5Vinputtoa-1.5Vto-5.5Voutput.Onlytwoexternalcapacitorsareneeded.Withaguaranteed100mAoutputcurrentcapability,theCAT660canreplaceaswitchingregulatoranditsinductor.LowerEMIisachiev	Catalyst Catalyst Semiconductor	Catalyst

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