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BFG540	文件：132.2 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistors,intendedforwidebandapplicationsintheGHzrange,suchasanaloganddigitalcellulartelephones,cordlesstelephones(CT1,CT2,DECT,etc.),radardetectors,satelliteTVtuners(SATV),MATV/CATVamplifiersandrepeateramplifiersinfibre	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG540	文件：556.92 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTOR Feature Highgain:︱S21e︱2TYP.Valueis13dB@VCE=8V，IC=40mA，f=0.9GHz Lownoise:NFTYP.Valueis1.8dB@VCE=10V，IC=10mA，f=0.9GHz fT(TYP.):TYP.Valueis9GHz@VCE=8V，IC=40mA，f=1GHz	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
BFG540	文件：360.44 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION •LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP.@VCE=8V,IC=10mA,f=900MHz •HighGain ︱S21︱2=16dBTYP.@VCE=8V,IC=40mA,f=900MHz •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforuseinlownoise,h	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFG540	文件：786.62 Kbytes Page：8 Pages	NPN9GHzWidebandTransistor ■Features ●Highpowergain ●Lownoisefigure ●Hightransitionfrequency ●Goldmetallizationensuresexcellentreliability.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BFG540	文件：245.37 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFG540	文件：343.31 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFG540/X	文件：132.2 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistors,intendedforwidebandapplicationsintheGHzrange,suchasanaloganddigitalcellulartelephones,cordlesstelephones(CT1,CT2,DECT,etc.),radardetectors,satelliteTVtuners(SATV),MATV/CATVamplifiersandrepeateramplifiersinfibre	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG540/X	文件：148.94 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistors DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Nplasticpackage. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS RFfrontendapplicationsintheGHzrange,su	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG540/X	文件：159.22 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistors DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT143Bplasticpackage. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS RFfrontendapplicationsintheGHzrange,su	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG540/XR	文件：148.94 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistors DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Nplasticpackage. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS RFfrontendapplicationsintheGHzrange,su	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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