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B540CQ	文件：431.4 Kbytes Page：5 Pages	5.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
B540CQ-13-F	文件：293.25 Kbytes Page：4 Pages	5.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features •GuardRingDieConstructionforTransientProtection •IdeallySuitedforAutomaticAssembly •LowPowerLoss,HighEfficiency •SurgeOverloadRatingto175APeak •ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplication	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
B540CQ-13-F	文件：9.99749 Mbytes Page：27 Pages	EiceDRIVER™ enhanced 1EDI302xAS/1EDI303xAS evaluation board TheEiceDRIVER™enhanced1EDI302xAS/1EDI303xASevaluationboardisaversatileevaluationplatformforthe EiceDRIVER™enhanced1EDI302xAS/1EDI303xASfamily.Itfeaturesahalfbridgeconfiguration,seeFigure1. ThereistheoptiontomounteithertheHybridPACK™DSCIGBTmoduleoradiscreteP	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
B540CQ-13-F	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-214AB，SMC；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 40V 5A SMC	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
B540CX	文件：637.41 Kbytes Page：5 Pages	5ATRENCHSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERSMC Features LowLeakageCurrent Soft,FastSwitchingCapability +150°COperatingJunctionTemperature Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveapplicationsrequiringspecificchangecontrol (i.e.partsqualifie	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BD540	文件：85.18 Kbytes Page：6 Pages	PNPSILICONPOWERTRANSISTORS PNPSILICONPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththe BD539Series ●45Wat25°CCaseTemperature ●5AContinuousCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable	POINN Power Innovations Ltd	POINN
BD540	文件：104.34 Kbytes Page：5 Pages	PNPSILICONPOWERTRANSISTORS PNPSILICONPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththe BD539Series ●45Wat25°CCaseTemperature ●5AContinuousCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
BD540	文件：249.81 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •DCCurrentGain- :hFE=40(Min.)@IC=-0.5A •Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-40V(Min) •ComplementtoTypeBD539 APPLICATIONS •Designedforuseinmediumpowerlinearandswitching applications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD540	文件：129.62 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD540A	文件：85.18 Kbytes Page：6 Pages	PNPSILICONPOWERTRANSISTORS PNPSILICONPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththe BD539Series ●45Wat25°CCaseTemperature ●5AContinuousCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable	POINN Power Innovations Ltd	POINN

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