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BAV302	文件：329.049 Kbytes Page：2 Pages	200VDetectionswitchtube	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
BAV302	文件：120.61 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingDiode Features ♦SiliconEpitaxialPlanarDiodes ♦Savingspace ♦Hermeticsealedparts ♦FitsontoSOD323/SOT23footprints ♦Electricaldataidenticalwiththedevices BAV100...BAV103/BAV200...BAV203 Applications ✦Generalpurpose MechanicalData ✦Case:MicroMELFGlassCase ✦Weigh	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
BAV302	文件：1.02278 Mbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTFASTSWITCHINGDIODE Features ●Hermeticsealedparts ●Savingspace ●SiliconEpitaxialPlanarDiodes	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
BAV302	文件：90.97 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalSwitchingDiodes,HighVoltage FEATURES •Siliconepitaxialplanardiodes •Savingspace •Hermeticsealedparts •FitsontoSOD-323/SOT-23footprints •Electricaldataidenticalwiththedevices BAV100toBAV103,BAV200toBAV203 •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAV302-TR	文件：135.81 Kbytes Page：6 Pages	SmallSignalSwitchingDiodes,HighVoltage FEATURES •Siliconepitaxialplanardiodes •Savingspace •Hermeticsealedparts •FitsontoSOD-323/SOT-23footprints •Electricaldataidenticalwiththedevices BAV100toBAV103,BAV200toBAV203 •AEC-Q101qualified •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleasese	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BB302C	文件：58.21 Kbytes Page：11 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier Features •BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoisecharacteristics;(NF=1.7dBtyp.atf=200MHz) •WithstandingtoESD;BuildinESDabsorbingdiode.Withstandupto240VatC=200pF,Rs=0conditions. •Provideminimoldpackages;CMPAK-4(SOT-	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
BB302M	文件：61.89 Kbytes Page：11 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier Features •BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoisecharacteristics;(NF=1.7dBtyp.atf=200MHz) •WithstandingtoESD;BuildinESDabsorbingdiode.Withstandupto240VatC=200pF,Rs=0conditions. •Provideminimoldpackages;MPAK-4(SOT-1	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
BB302M	文件：295.09 Kbytes Page：10 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoisecharacteristics;(NF=1.7dBtyp.atf=200MHz) •WithstandingtoESD;BuiltinESDabsorbingdiode.Withstandupto240VatC=200pF,Rs=0conditions. •Provideminimoldpackages;MPAK-4(SOT-1	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB302MBW-TL-E	文件：295.09 Kbytes Page：10 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoisecharacteristics;(NF=1.7dBtyp.atf=200MHz) •WithstandingtoESD;BuiltinESDabsorbingdiode.Withstandupto240VatC=200pF,Rs=0conditions. •Provideminimoldpackages;MPAK-4(SOT-1	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BC302	文件：122.24 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONAFMEDIUMPOWERAMPLIFIERS&SWITCHES NPNSILICONAFMEDIUMPOWERAMPLIFIERS&SWITCHES	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS

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