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B280BE	文件：377.76 Kbytes Page：5 Pages	2.0A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
B280BE-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-214AA，SMB；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 80V 2A SMB	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
B280M	文件：1.0583 Mbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierDiodes Features: PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0UtilizingFlame RetardantEpoxyMoldingCompound. Forsurfacemountedapplications. ExceedsenvironmentalstandardsofML-S-19500/228 Lowleakagecurrent	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
B280Q	文件：420.51 Kbytes Page：5 Pages	2.0AHIGHVOLTAGESCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAX280	文件：35.73 Kbytes Page：3 Pages	FREDDiode(VRRM1000VIFRMS5.5A55nsSoftrecoverycharacteristics) FREDDiode PreliminaryData ●VRRM1000V ●IFRMS5.5A ●trr55ns ●Softrecoverycharacteristics	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFP280	文件：59.99 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,low-poweramplifiersinmobilecommunicationsystems) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,low-poweramplifiersinmobile communicationsystems(pager,cordlesstelephone)atcollectorcurrentsfrom0.2mAto8mA •fT=7,5GHz F=1.5dBat900MHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFP280T	文件：93.41 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Applications Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.2mAto8mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BFP280TRW	文件：93.41 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Applications Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.2mAto8mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BFP280TW	文件：93.41 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Applications Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.2mAto8mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BFP280W	文件：59.57 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,low-poweramplifiersinmobilecommunicationsystems) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,low-poweramplifiersinmobile communicationsystems(pager,cordlesstelephone)atcollectorcurrentsfrom0.2mAto8mA •fT=7,5GHz F=1.5dBat900MHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS

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