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B240LW-ST	文件：92.03 Kbytes Page：3 Pages	2ASurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
B240LW-ST	文件：92.03 Kbytes Page：3 Pages	2ASurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
B240M	文件：1.0583 Mbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierDiodes Features: PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0UtilizingFlame RetardantEpoxyMoldingCompound. Forsurfacemountedapplications. ExceedsenvironmentalstandardsofML-S-19500/228 Lowleakagecurrent	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
B240Q	文件：286.74 Kbytes Page：6 Pages	2.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER DescriptionandApplications ThisSchottkyBarrierRectifierisdesignedtomeetthegeneralrequirementsofcommercialapplications.Itisideallysuitedforuseas: •PolarityProtectionDiode •Re-CirculatingDiode •SwitchingDiode •BlockingDiode •FreewheelDiode FeaturesandBenefit	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
B240WG-SL	文件：510.73 Kbytes Page：4 Pages	2ASurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers Features •Lowprofilesurfacemountedapplicationinordertooptimizeboardspace. •Lowpowerloss,highefficiency. •Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop. •Ultrahigh-speedswitching. •Siliconepitaxialplanarchip,metalsiliconjunction. •LeadfreeincompliancewithE	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
B240W-S	文件：91.46 Kbytes Page：3 Pages	2ASurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers Features •Lowprofilesurfacemountedapplicationinordertooptimizeboardspace. •Lowpowerloss,highefficiency. •Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop. •Ultrahigh-speedswitching. •Siliconepitaxialplanarchip,metalsiliconjunction. •SuffixGindicatesHalogen-fre	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
B240W-ST	文件：104.02 Kbytes Page：3 Pages	2ASurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers Features •Lowprofilesurfacemountedapplicationinordertooptimizeboardspace. •Lowpowerloss,highefficiency. •Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop. •Ultrahigh-speedswitching. •Siliconepitaxialplanarchip,metalsiliconjunction. •SuffixGindicatesHalogen-fre	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
BAS240	文件：55.45 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarrierdiode DESCRIPTION PlanarSchottkybarrierdiodewithanintegratedguardringforstressprotection. FEATURES •Lowforwardvoltage •Guardringprotected •VerysmallceramicSMDpackage •Lowdiodecapacitance. APPLICATIONS •Ultrahigh-speedswitching •Voltageclamping •Protectioncircuit	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAT240	文件：137.47 Kbytes Page：7 Pages	HighVoltageSchottkyDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BAT240A	文件：24.22 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSchottkyDiode(RectifierSchottkydiodeformodemapplicationsHighreversevoltageForpowersupply) SiliconSchottkyDiode Preliminarydata •RectifierSchottkydiodeformodemapplications •Highreversevoltage •Forpowersupply •Forclampingandprotectioninallhighvoltageapplications	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS

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