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BAS170WS-V	文件：84.26 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalSchottkyDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAV170	文件：98.24 Kbytes Page：4 Pages	SiliconLowLeakageDiodeArray(LowleakageapplicationsMediumspeedswitchingtimesCommoncathode) ●Lowleakageapplications ●Mediumspeedswitchingtimes ●Commoncathode	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BAV170	文件：53.29 Kbytes Page：8 Pages	Low-leakagedoublediode DESCRIPTION Epitaxial,medium-speedswitching,doublediodeinasmallSOT23plasticSMDpackage.Thediodesareincommoncathodeconfiguration. FEATURES •PlasticSMDpackage •Lowleakagecurrent:typ.3pA •Switchingtime:typ.0.8µs •Continuousreversevoltage:max.75V •Repetitiv	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAV170	文件：44.28 Kbytes Page：2 Pages	IntroducingVeryLowLeakageSOT-23Diodes: Features •SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomatedInsertion •VeryLowLeakageCurrent •LeadHalogenandAntimonyFree,RoHSCompliantGreenDevice(Notes1and2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAV170	文件：454.38 Kbytes Page：4 Pages	SiliconLowLeakageDiodeArray SiliconLowLeakageDiodeArray •Low-leakageapplications •Mediumspeedswitchingtimes •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BAV170	文件：62.85 Kbytes Page：12 Pages	Low-leakagedoublediode	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAV170	文件：349.46 Kbytes Page：3 Pages	DUALSURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAV170	文件：96.26 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNT,LOWLEAKAGESWITCHINGDIODES VOLTAGE100VoltPOWER250mWatt FEATURES •Sufacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. •Verylowleakagecurrent.2pAtypicalatVR=75V. •Lowcapacitance.2pFmaxatVR=0V,f=1MHz •LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective MECHANICALDATA •Case:SOT-23p	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAV170	文件：188.99 Kbytes Page：4 Pages	Low-leakagedoublediode FEATURES ●PlasticSMDpackage ●Lowleakagecurrent:typ.3pA ●Switchingtime:typ.0.8us ●Continuousreversevoltage:max.75V ●Repetitivepeakreversevoltage:max.85V ●Repetitivepeakforwardcurrent:max.500mA APPLICATIONS ●Low-leakagecurrentapplicationsinsurfacemountedci	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BAV170	文件：106.06 Kbytes Page：3 Pages	DUALSURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE Features •SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomatedInsertion •VeryLowLeakageCurrent •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •PPAPCapable(Note	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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