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BAT160C	文件：52.56 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarrierdoublediodes DESCRIPTION PlanarSchottkybarrierdoublediodesencapsulatedinaSOT223plasticSMDpackage. FEATURES •Lowswitchinglosses •Capabilityofabsorbingveryhighsurgecurrent •Fastrecoverytime •Guardringprotected •PlasticSMDpackage. APPLICATIONS •Lowpowerswitched-modepower	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BAT160C	文件：192.04 Kbytes Page：7 Pages	Schottkybarrierdoublediodes	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BAT160C	文件：196.87 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarrierdoublediode 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierdoublediodeencapsulatedinaSOT223(SC73)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowswitchinglosses •Capabilityofabsorbingveryhighsurgecurrent •Fastrecoverytime •Guardringprotected •Plasti	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAT160S	文件：52.56 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarrierdoublediodes DESCRIPTION PlanarSchottkybarrierdoublediodesencapsulatedinaSOT223plasticSMDpackage. FEATURES •Lowswitchinglosses •Capabilityofabsorbingveryhighsurgecurrent •Fastrecoverytime •Guardringprotected •PlasticSMDpackage. APPLICATIONS •Lowpowerswitched-modepower	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BAT160S	文件：192.04 Kbytes Page：7 Pages	Schottkybarrierdoublediodes DESCRIPTION PlanarSchottkybarrierdoublediodesencapsulatedinaSOT223plasticSMDpackage. FEATURES •Lowswitchinglosses •Capabilityofabsorbingveryhighsurgecurrent •Fastrecoverytime •Guardringprotected •PlasticSMDpackage. APPLICATIONS •Lowpowerswitched-modepower	ETC	ETC
BAT160S	文件：192.04 Kbytes Page：7 Pages	Schottkybarrierdoublediodes	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BAT160S	文件：196.93 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarrierdoublediode 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierdoublediodeencapsulatedinaSOT223(SC73)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowswitchinglosses •Capabilityofabsorbingveryhighsurgecurrent •Fastrecoverytime •Guardringprotected •Plasti	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAT160S-Q	文件：196.49 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarrierdoublediode 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierdoublediodeencapsulatedinaSOT223(SC73)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowswitchinglosses •Capabilityofabsorbingveryhighsurgecurrent •Fastrecoverytime •Guardringprotected •Plasti	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BB-160	文件：375.28 Kbytes Page：1 Pages	BaseboardforTMCM-160	TRINAMIC TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG.	TRINAMIC
BC160	文件：50.6 Kbytes Page：8 Pages	PNPmediumpowertransistors DESCRIPTION PNPmediumpowertransistorinaTO-39metalpackage. NPNcomplements:BC140andBC141. FEATURES •Highcurrent(max.1A) •Lowvoltage(max.60V). APPLICATIONS •Generalpurposeapplications.	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI

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技术参数

VRRM(V) V：
60
VF(Max) @ 25C VFM(V)：
0.70
VF(Max) @ 25C IFM(A)：
1000
IR(Max) @ 25C IR(uA)：
100
IR(Max) @ 25C VR(V)：
60
IFSM A：
30
Package：
SOD-123ST

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	B160肖特基二极管	LITEON/光宝	23+	SMA	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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深圳市赛美科科技有限公司	B160肖特基二极管	VISHAY/威世	新年份	DO-214AC(SMA)	130000	原装正品大量现货,要多可发货,实单带接受价来谈!	询价
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深圳市永贝尔科技有限公司	B1610	EPCOS	23+	NA	39960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	B1610	A/N	1715+	SOP	251156	只做原装正品现货假一赔十!	询价
深圳兆威电子有限公司	B1610	EPCOS	22+	NA	157202	原装正品现货,可开13个点税	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	B1610	EPCOS/爱普科斯	23+	SMD	49250	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市胜彬电子有限公司	B1610	EPCOS/爱普科斯	22+	SMD	8000	原装正品支持实单	询价
深圳市维基鸿电子有限公司	B1610	EPCOS/爱普科斯	25+	SMD	10000	全新原装现货库存	询价

更多B160W-ST供应商更新时间2025-7-29 11:00:00

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