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B160W-ST	文件：92.41 Kbytes Page：3 Pages	丝印：16；Package：SOD-123ST；1A Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
B160W-ST	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Signal Schottky Didoes;	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
BAT160	文件：52.56 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarrierdoublediodes DESCRIPTION PlanarSchottkybarrierdoublediodesencapsulatedinaSOT223plasticSMDpackage. FEATURES •Lowswitchinglosses •Capabilityofabsorbingveryhighsurgecurrent •Fastrecoverytime •Guardringprotected •PlasticSMDpackage. APPLICATIONS •Lowpowerswitched-modepower	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAT160	文件：192.04 Kbytes Page：7 Pages	Schottkybarrierdoublediodes	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAT160A	文件：52.56 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarrierdoublediodes DESCRIPTION PlanarSchottkybarrierdoublediodesencapsulatedinaSOT223plasticSMDpackage. FEATURES •Lowswitchinglosses •Capabilityofabsorbingveryhighsurgecurrent •Fastrecoverytime •Guardringprotected •PlasticSMDpackage. APPLICATIONS •Lowpowerswitched-modepower	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAT160A	文件：192.04 Kbytes Page：7 Pages	Schottkybarrierdoublediodes	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAT160A	文件：196.84 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarrierdoublediode 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierdoublediodeencapsulatedinaSOT223(SC73)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowswitchinglosses •Capabilityofabsorbingveryhighsurgecurrent •Fastrecoverytime •Guardringprotected •Plasti	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAT160C	文件：52.56 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarrierdoublediodes DESCRIPTION PlanarSchottkybarrierdoublediodesencapsulatedinaSOT223plasticSMDpackage. FEATURES •Lowswitchinglosses •Capabilityofabsorbingveryhighsurgecurrent •Fastrecoverytime •Guardringprotected •PlasticSMDpackage. APPLICATIONS •Lowpowerswitched-modepower	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAT160C	文件：192.04 Kbytes Page：7 Pages	Schottkybarrierdoublediodes	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAT160C	文件：196.87 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarrierdoublediode 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierdoublediodeencapsulatedinaSOT223(SC73)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowswitchinglosses •Capabilityofabsorbingveryhighsurgecurrent •Fastrecoverytime •Guardringprotected •Plasti	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

技术参数

VRRM(V) V：
60
VF(Max) @ 25C VFM(V)：
0.70
VF(Max) @ 25C IFM(A)：
1000
IR(Max) @ 25C IR(uA)：
100
IR(Max) @ 25C VR(V)：
60
IFSM A：
30
Package：
SOD-123ST

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	B160肖特基二极管	LITEON/光宝	23+	SMA	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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深圳市维基鸿电子有限公司	B1610	EPCOS/爱普科斯	25+	SMD	10000	全新原装现货库存	询价

更多B160W-ST供应商更新时间2025-7-28 11:00:00

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